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Starker Spannungsabfall und Strahlungsbelastung sind ein Hindernis für Niederspannungsanlagen mit mittlerem Bedarf, wie z. B. optische Halbleiter, Datenspeicher und Präzisionsgeräte, wie z. B. pharmazeutische Geräte, bei denen Strahlung eine Rolle spielt. Mit zunehmender Spannung und wirtschaftlicher sowie langsamer und schwieriger zu wartender Stromausrüstung wird nun eine höhere Energiekapazität benötigt. bi-links für den Bi-Side-Betrieb in einer Stromversorgungsanwendung im Mittelspannungsbereich zu erreichen. Der erste Schritt, gefolgt von der Untersuchung eines dreiphasigen…mehr

Produktbeschreibung
Starker Spannungsabfall und Strahlungsbelastung sind ein Hindernis für Niederspannungsanlagen mit mittlerem Bedarf, wie z. B. optische Halbleiter, Datenspeicher und Präzisionsgeräte, wie z. B. pharmazeutische Geräte, bei denen Strahlung eine Rolle spielt. Mit zunehmender Spannung und wirtschaftlicher sowie langsamer und schwieriger zu wartender Stromausrüstung wird nun eine höhere Energiekapazität benötigt. bi-links für den Bi-Side-Betrieb in einer Stromversorgungsanwendung im Mittelspannungsbereich zu erreichen. Der erste Schritt, gefolgt von der Untersuchung eines dreiphasigen Ersatzschaltbildes und eines mathematischen Modells, zeigt den zugrundeliegenden Mechanismus der Oberschwingungsunterdrückung und der Spannungssteuerung in Kombination mit der Sequenz-Phasenverschiebung und dem Shunt-HAPF für die kontinuierliche Phasensynthese (CPS) und die verschiedenen diskreten Steuerungen und CPS (p-p/Diskrete Fourier-Transformation und Differentialmodus-Digitalfilter werden für die Serie betrachtet, die die gleitende Fourier-Phasenverriegelungsschleife verwendet und ihre sychrone Shunt-Fähigkeit implementiert. Anschließend werden das L-C-Serienfilter und die passiven Doppelresonanzschaltungen (PDR) besprochen sowie die wichtigsten Schaltungskomponenten des Entwurfs, die Serieninduktionsschaltung (LL), der passive Tiefpass der PDR und der Entwurf der passiven Doppelresonanzschaltung zur Anwendung der Induktionsfilterung. Schließlich wurde der Nachweis der Ergebnisse bei der Validi
Autorenporträt
Ch. Rami Reddy erhielt 2011 den B. Tech und 2014 den M. Tech-Abschluss in EEE. Er reichte seine Doktorarbeit an der K L University India im Jahr 2020 ein und arbeitet derzeit als Assistenzprofessor für Elektrotechnik und Elektronik am Malla Reddy Engineering College (A), Maisammaguda, Secunderabad, Telangana, Indien 500100.