Rahman Bakhyshov

Thermodynamische analyse van epitaxiale laaggroeiprocessen

halfgeleiderverbinding van Ga2Se3 via open pijpmethode in gastransportsysteem Ga-Se-Cl-H

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Het huidige werk is gewijd aan de thermodynamische analyse van fysicochemische processen van groei van epitaxiale lagen van halfgeleiderverbinding Ga2Se3 uit de gasfase in het stromingssysteem Ga - Se - Cl - H en het modelleren van technologische processen voor het voorspellen van mogelijke technologische varianten en het bepalen van optimale condities voor de synthese van deze verbinding. De resultaten van onderzoek naar de definitie en berekening van thermodynamische parameters van individuele stoffen van het Ga - Se - Cl - H systeem worden gegeven, voor hun gebruik bij thermodynamische modellering van processen van groei van epitaxiale lagen van Ga2Se3 uit een gasfase. Het verband tussen thermodynamische variabelen en technologische parameters van het Ga2Se3 syntheseproces in open-type reactor met afzonderlijke bronnen van gallium en selenium wordt onderzocht. Het schema van de berekening van de technologische parameters van het proces van groeiende epitaxiale lagen van Ga2Se3 in het stromingsgas transportsysteem met afzonderlijke bronnen van gallium en selenium wordt geïllustreerd.

Produktdetails

• Verlag: Uitgeverij Onze Kennis
• Seitenzahl: 64
• Erscheinungstermin: 12. Juni 2020
• Niederländisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 4mm
• Gewicht: 113g
• ISBN-13: 9786202588997
• ISBN-10: 6202588993
• Artikelnr.: 62417388

Autorenporträt

Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.