Rahman Bakhyshov

Análise termodinâmica dos processos de crescimento da camada epitaxial

ligação de semicondutores Ga2Se3 pelo método de tubo aberto no sistema de transporte de gás Ga-Se-Cl-H

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Produktbeschreibung

O presente trabalho é dedicado à análise termodinâmica dos processos físico-químicos de crescimento das camadas epitaxiais do composto semicondutor Ga2Se3 a partir da fase gasosa no sistema de fluxo Ga - Se - Cl - H e modelação de processos tecnológicos para previsão de possíveis variantes tecnológicas e determinação de condições óptimas para a síntese deste composto. São apresentados os resultados das pesquisas de definição e cálculo dos parâmetros termodinâmicos de substâncias individuais do sistema Ga - Se - Cl - H, para a sua utilização na modelação termodinâmica dos processos de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 a partir de uma fase gasosa. É investigada a ligação entre variáveis termodinâmicas e parâmetros tecnológicos do processo de síntese Ga2Se3 em reactor de tipo aberto com fontes separadas de gálio e selénio. O esquema de cálculo dos parâmetros tecnológicos do processo de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 no sistema de transporte de gás de fluxo com fontes separadas de gálio e selénio é ilustrado.

Produktdetails

• Verlag: Edições Nosso Conhecimento
• Seitenzahl: 60
• Erscheinungstermin: 12. Juni 2020
• Portugiesisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 4mm
• Gewicht: 107g
• ISBN-13: 9786202588973
• ISBN-10: 6202588977
• Artikelnr.: 60327009

Autorenporträt

Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.