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A concepção, potência total, potência estática, potência dinâmica, tempo transitório, atraso transitório e corrente estática na célula SRAM 8T e 10T SRAM são calculados e comparados. A SRAM 8T tem a menor contagem de transístores e menor eficiência de área, mas a velocidade de operação é um pouco reduzida. Além disso, o aumento da contagem de transístores na célula SRAM 10T, no entanto, torna a área e o atraso grande na temperatura ambiente. Quando a temperatura aumenta a partir de um determinado valor, a célula SRAM 10T tem um melhor desempenho do que a célula SRAM 8T. Isto justifica a utilização da célula SRAM 10T para aplicações de baixa potência com condições de temperatura variáveis. O desenho de memória SRAM proposto pode ser implementado em qualquer circuito digital.