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A procura sempre crescente de novas aplicações e dispositivos compactos resultou no desenvolvimento de novas tecnologias ao nível da integração. A integração em muito grande escala (VLSI) deu a vantagem de integrar aplicações de grande densidade numa plataforma compacta alcançando o objectivo de obter aplicações de alta qualidade numa única plataforma. Com o aumento no desenvolvimento da densidade de integração, esta tecnologia evoluiu para a concepção Nanoscale, o que dá um salto significativo no domínio da VLSI. Com a obtenção de uma grande densidade de integração, as restrições de potência, velocidade e rendimento estão também a aumentar. À medida que a densidade dos transístores aumenta, o consumo de energia também aumenta. Este é um estrangulamento para a concepção das LSV para aplicações críticas. Assim, a necessidade de menor consumo de energia é um objectivo importante no ambiente de concepção das LSV. A optimização da potência é desenvolvida através de múltiplos meios, onde os investigadores têm um resultado com várias abordagens ao nível da composição ou nível de integração para reduzir a dissipação de potência. A utilização da potência de processamento é considerada um consumo útil, no entanto, são investigadas as perdas de potência devidas a perdas IR e interferências electromagnéticas (EMI).