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Les transitions intersousbandes dans les hétérostructures de nitrure d éléments III ont été intensément étudiées dans le proche infrarouge pour des applications télécoms. L accordabilité dans le proche infrarouge est rendu possible grâce à la discontinuité de potentiel en bande de conduction qui peut atteindre 1.75 eV pour le système GaN/AlN. Les matériaux nitrures suscitent actuellement un grand intérêt à plus grande longueur d'onde infrarouge. C'est par exemple le développement de détecteurs et d'imageurs rapides à cascade quantique dans la gamme 2-5µm. C'est aussi l'extension des …mehr

Produktbeschreibung
Les transitions intersousbandes dans les hétérostructures de nitrure d éléments III ont été intensément étudiées dans le proche infrarouge pour des applications télécoms. L accordabilité dans le proche infrarouge est rendu possible grâce à la discontinuité de potentiel en bande de conduction qui peut atteindre 1.75 eV pour le système GaN/AlN. Les matériaux nitrures suscitent actuellement un grand intérêt à plus grande longueur d'onde infrarouge. C'est par exemple le développement de détecteurs et d'imageurs rapides à cascade quantique dans la gamme 2-5µm. C'est aussi l'extension des dispositifs intersousbandes dans le domaine de fréquences THz. Ce livre porte sur l étude des transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/Al(Ga)N épitaxiés par jets moléculaires. Le but est d accorder ces transitions dans une gamme spectrale très large allant du proche au lointain infrarouge.
Autorenporträt
Houssaine Machhadani est né en 1981 à Kenitra au Maroc. il débute son parcours universitaire à Oujda où il obtient sa Licence en physique en 2004. Il partira ensuite pour Marseille puis Paris afin d'obtenir son Master en nanoscience et nanotechnologie à l'Université Denis Diderot. En 2011 il soutient sa thèse de Doctorat à l'Université de Paris-Sud