Andere Kunden interessierten sich auch für
![Physical Properties of GaN/AlN Nanostructures]( "Physical Properties of GaN/AlN Nanostructures")
Physical Properties of GaN/AlN Nanostructures53,99 €![Développement de matériaux massifs appartenant au système chalcopyrite]( "Développement de matériaux massifs appartenant au système chalcopyrite")
Développement de matériaux massifs appartenant au système chalcopyrite36,99 €![GaN-Based HEMTs for High Voltage Operation: Design, Technology and Characterization]( "GaN-Based HEMTs for High Voltage Operation: Design, Technology and Characterization")
GaN-Based HEMTs for High Voltage Operation: Design, Technology and Characterization41,10 €![Dilute Magnetic Semiconductors for Spintronics]( "Dilute Magnetic Semiconductors for Spintronics")
Dilute Magnetic Semiconductors for Spintronics27,99 €![Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von nicht- und semipolaren GaN]( "Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von nicht- und semipolaren GaN")
Gasphasenepitaxie und Eigenschaften von nicht- und semipolaren GaN31,05 €![Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications (Band 28)]( "Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications (Band 28)")
Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications (Band 28)28,22 €![Studies of GaN Nanostructures Synthesized by Electrochemical Technique]( "Studies of GaN Nanostructures Synthesized by Electrochemical Technique")
Studies of GaN Nanostructures Synthesized by Electrochemical Technique42,99 €
Les transitions intersousbandes dans les hétérostructures de nitrure d'éléments III ont été intensément étudiées dans le proche infrarouge pour des applications télécoms. L'accordabilité dans le proche infrarouge est rendu possible grâce à la discontinuité de potentiel en bande de conduction qui peut atteindre 1.75 eV pour le système GaN/AlN. Les matériaux nitrures suscitent actuellement un grand intérêt à plus grande longueur d'onde infrarouge. C'est par exemple le développement de détecteurs et d'imageurs rapides à cascade quantique dans la gamme 2-5µm. C'est aussi l'extension des dispositifs intersousbandes dans le domaine de fréquences THz. Ce livre porte sur l'étude des transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/Al(Ga)N épitaxiés par jets moléculaires. Le but est d'accorder ces transitions dans une gamme spectrale très large allant du proche au lointain infrarouge.