Produktbild: Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors

Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors From Materials to Devices

97,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

11.02.2019

Abbildungen

XIII, 63 p. 35 illus., 16 illus. in color.

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

63

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/0,5 cm

Gewicht

151 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2018

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-13-5360-4

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

11.02.2019

Abbildungen

XIII, 63 p. 35 illus., 16 illus. in color.

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

63

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/0,5 cm

Gewicht

151 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2018

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-13-5360-4

Herstelleradresse

Springer Singapore
No. 12-2F 101 Business Park
47100 Puchong, Selangor D.E.
MY
Email: sdc-bookservice@springer.com
Telephone: +49 6221 3454301
Fax: +49 6221 3454229

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  • Produktbild: Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors

  • Chapter 1: Introduction.- Chapter 2: Structural and Optical Characterization of Quaternary-Capped InAs/GaAs Quantum Dots.- Chapter 3: Effect of Rapid-Thermal Annealing on Quantum Dot Properties.- Chapter 4: In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors (QDIPs) with Quaternary Capping.- Chapter 5: Effects of RTA on Quaternary Capped QDIP Characteristics.- Chapter 6: Summary and Future Work.