Produktbild: Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors
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Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors From Materials to Devices

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

02.10.2017

Abbildungen

XIII, 35 illus., 16 illus. in color., schwarz-weiss Illustrationen, farbige Illustrationen

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

63

Maße (L/B/H)

24,1/16/1 cm

Gewicht

310 g

Auflage

1st ed. 2018

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-10-5289-7

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02.10.2017

Abbildungen

XIII, 35 illus., 16 illus. in color., schwarz-weiss Illustrationen, farbige Illustrationen

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

63

Maße (L/B/H)

24,1/16/1 cm

Gewicht

310 g

Auflage

1st ed. 2018

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-10-5289-7

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Quaternary Capped In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors
  • Chapter 1: Introduction.- Chapter 2: Structural and Optical Characterization of Quaternary-Capped InAs/GaAs Quantum Dots.- Chapter 3: Effect of Rapid-Thermal Annealing on Quantum Dot Properties.- Chapter 4: In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors (QDIPs) with Quaternary Capping.- Chapter 5: Effects of RTA on Quaternary Capped QDIP Characteristics.- Chapter 6: Summary and Future Work.