Dopants and Defects in Semiconductors
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Sprache:Englisch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
28.02.2018
Verlag
Taylor & FrancisSeitenzahl
372
Maße (L/B/H)
26/18,3/2,5 cm
Gewicht
816 g
Auflage
2. Auflage
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-138-03519-5
This revised edition continues to provide the most complete coverage of the fundamental knowledge of semiconductors. In addition to inclusion of new chapter problems and worked examples, it delves into solid-state lighting (LEDs and laser diodes), and offers a solid foundation for experimental methods and the theory of defects in semiconductors.
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