Produktbild: Dopants and Defects in Semiconductors

Dopants and Defects in Semiconductors

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

28.02.2018

Verlag

Taylor & Francis

Seitenzahl

372

Maße (L/B/H)

26/18,3/2,5 cm

Gewicht

816 g

Auflage

2. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-138-03519-5

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Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

28.02.2018

Verlag

Taylor & Francis

Seitenzahl

372

Maße (L/B/H)

26/18,3/2,5 cm

Gewicht

816 g

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2. Auflage

Sprache

Englisch

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978-1-138-03519-5

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  • 1. Semiconductor Basics 2. Defect Classifications 3. Interfaces and Devices 4. Crystal Growth and Doping 5. Electronic Properties 6. Vibrational Properties 7. Optical Properties 8. Thermal Properties 9. Electrical Measurements 10. Optical Spectroscopy 11. Particle-Beam Methods 12. Microscopy and Structural Characterization