Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor Fabrication, Modeling and Applications
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Form:Einzelkauf Download
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Sprache:Englisch
96,29 €
inkl. gesetzl. MwSt.Beschreibung
Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
20.11.2013
Verlag
Springer IndiaSeitenzahl
134 (Printausgabe)
Dateigröße
6616 KB
Sprache
Englisch
EAN
9788132216353
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.
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