Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor Fabrication, Modeling and Applications
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
10.12.2013
Abbildungen
XIV, 121 illus., 49 illus. in color., schwarz-weiss Illustrationen, farbige Illustrationen
Verlag
Springer IndiaSeitenzahl
134
Maße (L/B/H)
24,1/16/1,4 cm
Gewicht
395 g
Auflage
Repr. d. Ausg. v. 2013
Sprache
Englisch
ISBN
978-81-322-1634-6
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