C. Y. Chang / Simon M. Sze (Hgg.)

ULSI Devices

Herausgegeben:Chang, C. Y.; Sze, Simon M.

• Gebundenes Buch

Produktbeschreibung

Ultrahoch integrierte Schaltkreise (ULSI) - die nächste Schaltkreisgeneration - werden zwar noch nicht industriell eingesetzt, sind aber das Objekt intensiver Forschungsarbeit. Sie versprechen Vorteile im Stromverbrauch, arbeiten bei niedrigerer Spannung und sind schneller. Die Herausgeber dieses Buches haben die bekanntesten Forscher auf dem Gebiet der Schaltkreise gewonnen, um jeweils ein Kapitel zu ihrem eigenen Spezialgebiet zu schreiben. Kompetent und hochaktuell! (01/00)

Produktdetails

• Verlag: Wiley & Sons
• 1. Auflage
• Seitenzahl: 744
• Erscheinungstermin: 18. Mai 2000
• Englisch
• Abmessung: 240mm x 161mm x 44mm
• Gewicht: 1186g
• ISBN-13: 9780471240679
• ISBN-10: 0471240672
• Artikelnr.: 09472315

Autorenporträt

C. Y. CHANG, PhD, is a National Chair Professor at the National Chiao Tung University in Hsinchu, Taiwan. S. M. SZE, PhD, is UMC Chair Professor at the National Chiao Tung University.

Inhaltsangabe

Introduction (C. Chang & S. Sze). DEVICE FUNDAMENTALS. Bipolar Transistor Fundamentals (E. Kasper). MOSFET Fundamentals (P. Wong). Device Miniaturization and Simulation (S. Banerjee & B. Streetman). DEVICE BUILDING BLOCKS AND ADVANCED DEVICE STRUCTURES. SOI and Three
Dimensional Structures. (J. Colinge). The Hot
Carrier Effect (B. Doyle). DRAM and SRAM (S. Shichijo). Nonvolatile Memory (J. Caywood & G. Derbenwich). CIRCUIT BUILDING BLOCKS AND SYSTEM
IN
CHIP CONCEPT. CMOS Digital and Analog Building Block Circuits for Mixed
Signal Applications (D. Pehlke & M. Chang). High
Speed or Low
Voltage, Low
Power Operations (I. Chen & W. Liu). System
on
Chip Concepts (M. Pelgrom). Appendices. Index.

Rezensionen

"the production standard and component chapters is characteristically high" (Contemporary Physics, Vol.42, No. 4 2001)