Andere Kunden interessierten sich auch für
![Sistema prodazhi biletow na poezda metro]( "Sistema prodazhi biletow na poezda metro")
Sistema prodazhi biletow na poezda metro29,99 €![Nadezhnost' älementow sistemy lazernoj poluprowodnikowoj nakachki]( "Nadezhnost' älementow sistemy lazernoj poluprowodnikowoj nakachki")
Nadezhnost' älementow sistemy lazernoj poluprowodnikowoj nakachki23,99 €![Symulacje diod sterowanych przez bram¿ do projektowania czujników ¿wiat¿a]( "Symulacje diod sterowanych przez bram¿ do projektowania czujników ¿wiat¿a")
Symulacje diod sterowanych przez bram¿ do projektowania czujników ¿wiat¿a28,99 €![Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode]( "Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode")
Hochleistungs-GaN-Licht-Emissionsdiode49,00 €![Diode électroluminescente GaN à haute performance]( "Diode électroluminescente GaN à haute performance")
Diode électroluminescente GaN à haute performance32,99 €![Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho]( "Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho")
Diodo emissor de luz GaN de alto desempenho32,99 €![Wysokowydajna dioda elektroluminescencyjna GaN]( "Wysokowydajna dioda elektroluminescencyjna GaN")
Wysokowydajna dioda elektroluminescencyjna GaN32,99 €
Izuchena nadezhnost' swetodiodow (LED) InGaN/GaN s raznoj dlinoj wolny izlucheniq i raznoj geometriej. Izmerqlis' takie harakteristiki ustrojstwa, kak tokowo-naprqzhenie, spektr shumow 1/f, utechka, staticheskoe soprotiwlenie. Pribory proshli 1000-chasowoj test na naprqzhenie postoqnnogo toka, i byla issledowana skorost' degradacii ih opticheskogo wyhoda. Rezul'taty byli ob#qsneny perekrestnymi dannymi.