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Die Technische Elektronik, die - wie in der Einfiihrung naher begriindet - bier als die Lehre von den Grundlagen, dem Aufbau und der Wirkungsweise der Entladungsgerate dargestellt wird, ist in einer raschen Entwicklung begriffen. Die damit verbundene Zunahme unserer Kennt nisse machte eine Unterteilung des Stofi'es in zwei Bande erforderlich. Der erste Band behandelt im wesentlichen die Grundlagen der Ent ladungsgerate und die vakuumtechnischen Prozesse, umfaBt also auch den groBten Teil des haufig mit "Physikalischer Elektronik" bezeichneten Materials. 1m folgenden zweiten Band dominiert…mehr
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Die Technische Elektronik, die - wie in der Einfiihrung naher begriindet - bier als die Lehre von den Grundlagen, dem Aufbau und der Wirkungsweise der Entladungsgerate dargestellt wird, ist in einer raschen Entwicklung begriffen. Die damit verbundene Zunahme unserer Kennt nisse machte eine Unterteilung des Stofi'es in zwei Bande erforderlich. Der erste Band behandelt im wesentlichen die Grundlagen der Ent ladungsgerate und die vakuumtechnischen Prozesse, umfaBt also auch den groBten Teil des haufig mit "Physikalischer Elektronik" bezeichneten Materials. 1m folgenden zweiten Band dominiert dagegen neben der Beschreibung der Eigenschaften die Dimensionierung der elektrischen Entladungsgerate, soweit sie aus dem Verhalten der Elementarteilchen in elektrischen und magnetischen Feldern abgeleitet werden kann. Beide Bande entstanden aus Vorlesungen iiber Technische Elektronik, die von 1947 bis 1956 an der Universitat Princeton und von 1956 bis heute an der Technischen Hochschule Miinchen gehalten wurden. Das vorliegende Buch (der erste Band) hat zwei Kapitel: "Grundlagen der Entladungsgerate" sowie "Hochvakuumtechnik und Herstellungs prozesse der Entladungsgeriite". Der zweite Band enthiilt ebenfalls zwei Kapitel, niimlich: "Stromsteuernde Hochvakuum-, Gas-und Festkorper Entladungsgeriite" sowie "Elektronenoptische Geriite". Am Ende jedes Kapitels ist ein Literaturverzeichnis angefiigt. Die Literaturangaben stellen natiirlich nur eine Auswahl dar, die besonders auf die Erfordernisse der mit dem Gebiet noch nicht vertrauten Studenten, Ingenieure und Physiker zugeschnitten ist und das weitere Eindringen in das Stoff gebiet erleichtern solI.
Produktdetails
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- Verlag: Springer / Springer Berlin Heidelberg / Springer, Berlin
- Artikelnr. des Verlages: 978-3-642-92903-8
- Softcover reprint of the original 1st ed. 1965
- Seitenzahl: 412
- Erscheinungstermin: 5. Januar 2012
- Deutsch
- Abmessung: 235mm x 155mm x 23mm
- Gewicht: 629g
- ISBN-13: 9783642929038
- ISBN-10: 3642929036
- Artikelnr.: 39497894
- Verlag: Springer / Springer Berlin Heidelberg / Springer, Berlin
- Artikelnr. des Verlages: 978-3-642-92903-8
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- Gewicht: 629g
- ISBN-13: 9783642929038
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Einführung.- 1 Grundlagen der Entladungsgeräte.- I. Elementarteilchen und Atommodelle.- A. Typische Teilchendaten.- 1. Elektron.- 2. Ionen (z. B. H+-Ion, He+-Ion und Hg+-Ion).- 3. Strahlungsquanten (von Licht-, Röntgen-und radioaktiver Strahlung).- B. Teilchen- und Wellenbild.- 1. Beispiele zur experimentellen Bestimmung der Teilchen- bzw. Wellennatur der Elektronen.- a) Bestimmung der Elektronenladung e S..- b) Bestimmun gder Elektronenmasse m durch den Strahlungsdruck S..- c) Bestimmung des Verhältnisses e/m S..- d) Bestimmung der Elektronen-Wellenlänge durch Reflexion S..- 2. Mögliche Modell-Vorstellungen von Elektronen, Ionen und Atomen als Teilchen oder Welle.- C. Energiemodelle für Gase und Festkörper.- 1. Einzelheiten des Atombaus.- 2. Stoß Vorgänge.- a) Anregung und Ionisierung S..- b) Bestimmung der Ionisierungs- und Anregungsspannungen von Gasen durch Elektronenspektroskopie S..- 3. Termschemata.- a) Termschema der möglichen Energiezustände eines Gasatoms S..- b) Termschemata für den Kernzerfall S..- 4. Bändermodelle für Eestkörpergitter.- a) Metalle S..- b) Isolatoren S..- c) Eigen-Halbleiter S..- d) Störstellen-Halbleiter S..- D. Beschleunigung von Elementarteilchen im elektrischen Feld.- II. Thermische Elektronenquellen.- A. Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen bei der thermischen Emission.- 1. Energie-Struktur-Modelle für die Emission.- a) Bildkraft, Raumladung und Anodenfeld S..- b) Austrittsarbeit S..- 2. Maxwellsche Geschwindigkeits Verteilung.- 3. Fermi-Verteilung.- 4. Experimentelle Bestimmung der Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen im Bremsfeld vor einer Glühkathode. Anlauf strom- Diodenkennlinie.- B. Emissionskonstanten für einige Kathodenstoffe.- C. Massiv-Kathoden.- 1. Energiebändermodell für emittierende reine Metalle.- 2. Konstruktionsdaten und Lebensdauer.- 3. Vereinfachtes Dimensionierungs verfahren für Wolfram-Massivkathoden.- a) Wahl von Kathodenmaterial und Betriebstemperatur S..- b) Bestimmung des Kathodendrahtdurchmessers d und des Heizstroms IH aus der gewählten spezifischen Heizfadenspannung UHG pro cm Kathodenlänge S..- c) Bestimmung von Heizspannung Ue und Emissionsstrom Is aus der gewählten Fadenlänge h S..- 4. Formierung von Wolfram-Massivkathoden.- 5. Warm-Zugfestigkeit Fw= f(T) von Wolfram-Massivkathoden.- D. Atomfilm-Kathoden.- 1. Strukturmodelle von Metallen mit Oberflächenschichten.- 2. Energiebändermodelle von Atomfilm-Kathoden.- 3. Thorium-Atomfilmkathoden.- E. Bariumoxyd-Kathoden.- 1. Strukturmodell und Emissionsvorgang für Bariumoxyd-Kathoden.- 2. Energiebändermodell der Bariumoxyd-Kathode.- 3. Konstruktion einfacher Oxyd-Kathoden.- 4. Vorratskathoden.- a) Die L-Kathode S..- b) Imprägnierte Kathode S..- c) Gepreßte Kathode S..- d) Matrix-Kathoden S..- III. Photo-, Sekundär- und Feldemissions-Elektronenquellen.- A. Photoelektronenquellen.- 1. Gesetzmäßigkeiten beim äußeren lichtelektrischen Effekt.- a) Ia-Ua-Kennlinien einer Photozelle S..- b) Einsteinsche Gleichung S..- c) Energieverteilung und Energiegrenzen der Photoelektronen S..- 2. Bändermodell für metallische Photokathoden.- 3. Elektronenausbeute und Lumen-Empfindlichkeit von Photokathoden.- 4. Quantenausbeute von Photokathoden.- 5. Spektrale Empfindlichkeitskurven typischer Photokathoden.- 6. Ermüdung von Photokathoden.- B. Sekundärelektronenquellen.- 1. Mechanismus der Sekundärelektronen-Emission.- 2. Sekundäremissionskurven.- 3. Theorien der Sekundäremission.- C. Feldemissions-Elektronenquellen.- IV. Kernstrahlungsquellen.- A. Gesetzmäßigkeiten und Einheiten.- B. ?-Strahler (Quellen doppelt positiv geladener He-Ionen).- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer ?-Strahler.- C. ?-Strahler (Quellen schneller Elektronen).- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer ?-Strahler.- D. ?-Strahler [Quellen energiereicher Strahlungsquanten (? ? 10?9 cm)].- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer ?-Strahler.- a) Strahler niedriger Dosisleistung S..- b) Strahler hoher Dosisleistung S..- E. Positronenstrahler.- F. Neutronenstrahler.- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer Neutronenstrahler.- a) Thermische Neutronenstrahler S..- b) Temporäre Neu-tronenstrahler aus Beryllium bzw. schwerem Eis S..- V. Technische Ionen- und Photonenquellen.- A. Technische Ionenquellen.- 1. Stoßionisations-Ionenquellen.- a) Kanalstrahlenquelle S..- b) Dampfstrahl-Ionenquelle S..- c) Quelle mit Elektronenpendelung im Gas S..- d) Glüh- kathoden-Gasentladungsquelle (Zyklotron-Ionenquelle nachLivingston) S..- 2. Thermische Ionenquellen.- B. Quellen für elektromagnetische Strahlung.- 1. Röntgenstrahlungsquellen.- 2. Leuchtschirme als Photonenquellen.- a) Mögliche Energie-Transformationen durch Leuchtschirme S..- b) Lichtquantenausbeute von Leuchtschirmen bei Elektronenbestrahlung S..- c) Energiebändermodell eines Luminophors S..- VI. Teilchenströme in Hochyakuum-Entladungsstrecken.- A. Stromwirkung des Einzelelektrons.- B. Teilchenströme im Hochvakuum bei schwacher Raumladung.- 1. Teilchenbahnen im homogenen elektrischen Feld.- a) Bahngleichungen S..- b) Relativistischer Fall S..- c) Anwendung der Elektronenstrahlablenkung im elektrischen Feld S..- 2. Teilchenbahnen im homogenen Magnetfeld.- a) Bahngleichungen S..- b) Relativistischer Fall S..- c) Anwendungen der magnetischen Ablenkung S..- 3. Teilchenbahnen im zusammengesetzten elektrischen und magnetischen Feld.- a) Allgemeine Bahngleichungen S..- b) Besondere Anwendungen S. 106..- C. Teilchenströme im Hochvakuum bei starker Raumladung.- 1. Raumladungsbegrenzung von Teilchenströmen.- 2. Der Raumladungs-Teilchenstrom in einer Diode mit ebenen Elektroden.- a) Teilchenstrom bei Vernachlässigung der Elektronen-Austritts- geschwindigkeit (v0 = 0) S..- b) Teilchenstrom bei Berück-sichtigung der Elektronen-Austrittsgeschwindigkeit (v0? 0; Geschwindigkeitsverteilung entsprechend dem Anlaufstromgesetz) S..- 3. Wirkungen der Raumladung in elektronenoptischen Entladungsgeräten.- VII. Grundlagen der geometrischen Elektronenoptik.- A. Vergleich der geometrischen Elektronenoptik mit der Lichtoptik.- B. Das elektronenoptische Brechungsgesetz.- 1. Elektronenstrahlbrechung im elektrischen Ablenkfeld.- 2. Elektronenstrahlbrechung an einer planparallelen elektrischen Doppelschicht (Feldschicht).- C. Elektronenoptische Abbildungsgesetze.- 1. Brennweitengleichung für eine sphärisch gekrümmte elektrische Doppelschicht.- 2. Abbildungsmaßstab für elektrische Linsen.- D. Typische elektrische und magnetische Elektronenlinsen.- 1. Elektrische Elektronenlinsen.- a) Netzlinsen (Doppelschichtlinien) S..- b) Lochscheibenlinsen S..- c) Rohrlinsen S. 128..- 2. Magnetische Elektronenlinsen.- E. Experimentelle Bestimmung von Feldern und Bahnen in der Elektronenoptik.- 1. Feldbestimmung.- a) Elektrische Felder S..- b) Magnetische Felder S. 135..- 2. Bahnbestimmung.- a) Graphische Bahnbestimmung S..- b) Experimentelle Bahn-bestimmung S..- VIII. Wirkungsweise stromsteuernder Hoch Vakuumröhren.- A. Hochvakuum-Mehrpolröhren.- 1. Hochvakuumdiode.- 2. Hochvakuumtriode.- a) Statische Kennliniengleichung S..- b) Dynamische Kennliniengleichung S..- c) Strom-, Spannungs- und Leistungs-verstärkung S..- 3. Tetrode (Röhre mit zwei Gittern).- 4. Pentode (Röhre mit drei Gittern).- 5. Hexode, Heptode, Oktode (Röhren mit 4, 5 und 6 Gittern).- B. Mikrowellenröhren.- 1. Laufzeittriode (500 bis 6000 MHz).- 2. Klystron (200 bis 50000 MHz).- a) Zwei- und Mehrkammer-Klystron S..- b) Reflexklystron S. 153..- 3. Das Magnetron (bis 30000 MHz).- 4. Die Wanderfeldröhre (bis 50000 MHz).- 5. Die Rückwärtswellenröhre ("Carcinotron"; bis 100000 MHz).- IX. Teilchenströme in Gasentladungsstrecken.- A. Teilchenstrom bei Ionisierung durch Elektronenstoß.- 1. Townsendscher Ionisierungskoeffizient und spezifische Ionisierung.- 2. Stromverstärkung.- 3. Kontinuitätsbedingung für den Teilchenstrom.- B. Teilchenstrom bei Ionisierung durch Elektronen- und Ionenstoß.- 1. Stromverstärkung bei zusätzlicher Erzeugung von Ladungsträgern durch Ionenstöße im Gasraum.- 2. Stromverstärkung bei zusätzlicher Erzeugung von Ladungsträgern durch Ionenaufprall auf die Kathode.- 3. Zündbedingung und Paschensches Gesetz.- C. Allgemeine Gasentladungs-Charakteristik.- X. Teilchenströme in Halbleitern.- A. Leitfähigkeit von Halbleitern.- 1. Eigenleitung und Störstellenleitung.- a) Eigenleitung S..- b) Störstellenleitung S..- c) Quantitatives Ergebnis der Reinigung und Aktivierung von Germanium bzw. Silizium S. 177..- 2. Trägerbeweglichkeiten und spezifische Leitfähigkeit.- B. Verhalten von Halbleiter-Kontakten.- 1. Halbleiter-Metall-Kontakte.- a) Bedingungen für (ungetemperte) Ohmsche Kontakte S..- b) Bedingungen für (ungetemperte) Sperrschichtkontakte (Gleichrichter) S..- 2. p-n-Verbindungen.- a) Ohne äußeres Feld S..- b) Mit äußerem Feld ("Kristalldiode") S..- 3. p-n-p-Verbindungen ("Transistoren").- a) Aufbau und Wirkungsweise eines p-n-p-Transistors S..- b) Transistorschaltungen und -kennlinien S..- 4. Lichtempfindliche p-n-Verbindungen ("Photoelement").- 5. Vergleich zwischen Halbleiter- und Hochvakuum-Entladungsgeräten.- a) Dioden S..- b) Mehrpolgeräte S..- XI. Literaturverzeichnis zum Kapitel 1.- 2 Hochvakuumtechnik und Herstellungsprozesse der Entladungsgeräte.- I. Wechselwirkung von Teilchen mit Gasen und Dämpfen.- A. Ergebnisse der kinetischen Gastheorie.- 1. Atommasse und Atomgewicht (Eigenschaften des Einzelteilchens).- 2. Maxwellsche Geschwindigkeitsverteilung der Gasmoleküle (Eigenschaften des Teilchenkollektivs).- 3. Verhalten der Gase und Dämpfe (also des Teilchenkollektivs) 205 a) Boyle-Mariottesches Gesetz S..- b) Gay-Lussacsches Gesetz S..- c) Zustandsgieichung der idealen Gase S..- d) Daltonsches Gesetz (für Gemische von idealen Gasen) S..- e) Konzentration von Gasen und Dämpfen; Gesetz von Avogadro S. 209..- f) Volumen V einer Gasmenge vom Gewicht O S..- B. Auswahl der Gase und Dämpfe für Entladungsgeräte.- 1. Gasfüllungen zur Verdampfungserschwerung.- 2. Gasfüllungen zur Wärmeableitung.- 3. Gas- und Dampffüllungen zur Lichterzeugung.- a) Spektren (gleicher Gesamtintensität) von Hg bei verschiedenem Dampfdruck S..- b) Spektren von Argon bei verschiedenen Stromdichten (Betriebsspannungen) S..- c) Verschiedene Spektren von verschiedenen Zonen einer Glimmentladung S..- 4. Gasfüllungen zur Stromleitung.- C. Gewinnung und Reinigung der Füllgase für Entladungsgeräte.- 1. Edelgase.- a) Gewinnung S..- b) Reinigung S..- 2. Unedle Gase und Dämpfe.- a) Wasserstoffs..- b) Sauerstoff S..- c) Stickstoff S..- d) Dämpfe S..- D. Die mittlere freie Weglänge von Gasmolekülen, Elektronen und Ionen.- 1. Definition der mittleren freien Weglänge aus dem Gesetz der d) S..- d) Konturenschärfe von Metalldampfniederschlägen im Vakuum S..- e) Wahl der mittleren freien Weglänge bei Verdampfungsanlagen S. 237..- E. Dissoziation zweiatomiger zu einatomigen Gasen bei hohen Temperaturen.- II. Wechselwirkung von Elektronen mit Festkörpern 238.- A. Geschwindigkeitsstreuung und praktische Reichweite Re von Elektronen in "dicken"Folien bzw. Gasschichten (Gebiet der Vielfachstreuung; Foliendicke ?Re; 1? Aufzehrung von Gasen und Dämpfen durch gekühlte Oberflächen ("kryogenes Pumpen").- 2. Gasadsorption durch Kohle.- 3. Gasaufzehrung durch massive Metalle ("Kontaktgetterung").- a) Tantal (Ta) S..- b) Wolfram (W) und Molybdän (Mo) S..- c) Zirkonium (Zr) S..- d) Thorium (Th) und Uran (U) S..- e) Eisen (Fe) S..- f) Weitere Metalle S..- 4. Gasaufzehrung durch Metalldämpfe ("Verdampfungsgetterung").- a) Erwünschte Eigenschaften eines Verdampfungsgetters S..- b) Nachteile der Dampfgetter S..- 5. Gasaufzehrung durch Phosphor.- 6. Aufzehrung von Wasserdampf durch Trockenmittel.- IV. Vakuummeßtechnik und -meßgeräte.- A. Federmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Meßbereich.- B. Flüssigkeitsmanometer (Barometer).- 1. U-Rohr-Manometer.- a) Prinzip S..- b) Meßbereich S..- 2. Ringwaage-Druckmesser.- a) Prinzip S..- b) Meßbereich S..- C. Molekulardruckmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Meßbereich.- D. Reibungsmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Meßbereich.- E. Kompressionsmanometer nach McLEod.- 1. Prinzip.- 2. Aufbau.- 3. Wirkungsweise.- a) Druckmessung bei veränderlichem Kompressionsvolumen S..- b) Druckmessung bei konstantem Kompressionsvolumen S..- 4. Meßbereich.- 5. "Klebevakuum".- 6. Verkürztes Kompressionsmanometer.- 7. Vakuskop.- 8. Vor- und Nachteile des Kompressionsmanometers.- F. Wärmeleitungsmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Ausführungsformen von Wärmeleitungsmanometern.- a) Widerstandsmanometer S..- b) Thermoelektrisches Manometer S..- 3. Anwendungen.- G. Ionisationsmanometer.- 1. Glühdraht-Ionisationsmanometer.- a) Triode mit negativem Gitter und Glühkathode S..- b) Bremsfeldtriode mit positivem Gitter und Glühkathode S..- c) Bayard-Alpert-Manometer S..- d) Nachteile der Glühdraht- Ionisationsmanometer S..- 2. Ionisationsmanometer mit kalter Kathode und Magnetfeld (Penning-Manometer).- a) Aufbau und Wirkungsweise S..- b) Meßbereich S..- c) Vor- und Nachteile S..- 3. Radium-Ionisationsmanometer (Alphatron).- a) Aufbau und Wirkungsweise S..- b) Meßbereich S..- c) Vor- und Nachteile S..- 4. Druckimpuls-Vakuummessung.- 5. Massenspektrographische Manometer.- a) Massenspektrograph-Manometer mit Magnetfeld S..- b) HF-Massenspektrograph-Manometer mit geradliniger Ionenbahn ("Laufzeit-Spektrograph") S..- c) HF-Massenspektrograph-Manometer mit spiralförmiger Ionenbahn ("Omegatron") S. 288..- H. Lecksuchgeräte.- 1. Druckanstiegsmessung beim Zuschalten einer Leckstelle.- 2. HF-Vakuumprüfer (Tesla-Prüfgerät).- 3. Abtasten mit einem Aroder He-Gasstrahl.- 4. Abtasten mit einem Ha-Strahl.- 5. Abtasten mit Trichloräthylen.- 6. Abtasten mit Dämpfen von Halogenverbindungen ("Halogen-Lecksucher").- 7. Differentielle Kondensationsmethode.- V. Vakuumpumpen.- A. Berechnung der Pumpvorgänge.- 1. Charakteristische Größen einer Vakuumpumpe.- a) Fördervolumen Fp bzw. Saugleistung S S..- b) Grenzdruck Pg S..- c) Zulässiger Außendruck p? S..- 2. Berechnung der Auspump- und Fördervolumen- Kennlinien.- a) Fp = Fpmax = const ("Ideale Vakuumpumpe") S..- b) Fp - F(p) (alle technischen Vakuumpumpen) S..- B. Ausführungsformen von rotierenden Vakuumpumpen.- 1. Vorvakuumpumpen.- a) Kolbenpumpe S..- b) Drehschieberpumpe S..- c) Drehkolbenpumpe (Schieber-Wälzpumpe) S..- 2. Fein- und Hochvakuumpumpen.- a) Rootspumpe (Zahnrad-Wälzpumpe) S..- b) Molekular-luftpumpen S..- 3. Leistungsbedarf rotierender Vakuumpumpen in Abhängigkeit vom Druck.- C. Treibmittelpumpen.- 1. Wasserstrahlpumpe (für Vorvakuum).- 2. Dampfstrahl- und Diffusionspumpen (für Hochvakuum).- a) Prinzip S..- b) Dimensionierung von Dampfstrahl- und ? 10-3 Torr; ?g ? 2R.- 2. Strömungswiderstand bei relativ niedrigen Drucken (p < ? 10?3 Torr;?g ? 2R).- a) Lange Vakuumleitungen (l?R; ?g?2R) S..- b) Öffnung in einer dünnen Wand (l?R; ?gR) S..- c) Kurze Vakuumleitungen (l?R; ?g>2R) S..- 3. Strömungswiderstand für lange Vakuumleitungen im gesamten Druckbereich (l?R;?gbeliebig).- C. Berechnung von Vakuumanlagen.- 1. Fördervolumen in einem Vakuumleitungssystem mit angeschlossener Pumpe.- 2. Förderleistung in einem Vakuumleitungssystem mit angeschlossener Pumpe.- 3. Gütegrad einer Pumpanlage.- 4. Fördervolumen und Gütegrad von Vakuumanlagen im Gebiet der äußeren Eeibung (?g?R; p < ? 10?3 Torr).- D. Auswahl der Vorpumpe für eine gewählte Hochvakuumpumpe.- VII. Typische Fertigungsverfahren für Elektronengeräte.- A. Vakuum-Elektronengeräte.- 1. Eigenschaften der verwendeten Werkstoffe.- 2. Typische Fertigungsverfahren für Röhrenbauteile aus Metall.- a) Formgebung und Elektrodenaufbau S..- b) Verbindungen von Röhren-Metallteilen S..- c) Oberflächenbehandlung von Metallen S..- 3. Typische Fertigungs verfahren für Röhrenbauteile aus Glas.- a) Allgemeines S..- b) Formgebung von Glas S..- c) Oberflächenbehandlung S..- 4. Vakuumdichte Glas-Glas- und Glas-Metall-Verschmelzungen.- 5. Herstellung von Photokathoden.- a) Ag-Cs2O-Cs-Kathode (Oxydschicht-Photokathode) S..- b) SbCs3-Kathode (Metallverbindungs-Photokathode) S..- c) Sb-K-Na-Cs-Kathode (Mehrschicht-Photokathode; "Multialkali cathode") S..- 6. Herstellung von Leuchtschirmen.- a) Perlverfahren S..- b) Sedimentationsverfahren S..- c) Auf dampf verfahren S..- d) Aufdruckverfahren S..- e) Aluminisierung von Leuchtschirmen S..- B. Festkörper-Elektronengeräte.- 1. Eigenschaften der verwendeten Werkstoffe.- 2. Herstellung reiner Halbleiter.- a) Herstellung reiner Ge-Einkristalle S..- b) Herstellung reiner Si-Einkristalle S..- c) Herstellung von n- und p-Germanium bzw. n- und p-Silizium durch Dotierung (Aktivierung) S..- 3. Herstellung von Halbleiter-Metall-Kontakten.- a) Herstellung von Ohmschen (nichtgleichrichtenden) Kontakten S..- b) Herstellung von gleichrichtenden (Sperrschicht-)Kontakten S..- 4. Herstellung von (gewachsenen) p-n-Sperrschichten für Dioden.- a) Kristallziehung mit konstanter Geschwindigkeit S..- b) Kristallziehung mit periodisch veränderlicher Geschwindigkeit ("rate grown"-Verfahren) S..- c) Epitaxial-Verfahren S..- 5. Herstellung von Transistoren.- a) Legierungs-Transistor S..- b) Gezogener Transistor S..- c) Diffusions-Transistor S..- d) Mesa-Transistor S..- e) Epitaxial-Transistor S..- f) Planar-Transistor S..- g) Epitaxial-Planar-Transistor S..- 6. Gehäuse für Dioden und Transistoren.- a) Klarglas-Gehäuse S..- b) Sinterglas-Gehäuse S..- c) Gehäuse mit Preßglasteller S..- d) Metall-Gehäuse mit Glaseinschmelzung S..- e) Kunststoff-Gehäuse S..- f) Gehäusefüllung S..- 7. Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen.- a) Geätzte (gedruckte) Schaltungen S..- b) Mikromodul-Schaltungen S..- c) Integrierte Schaltungen S..- d) Halbleiter-Funktionsblöcke S..- VIII. Literaturverzeichnis zum Kapitel 2.
Einführung.- 1 Grundlagen der Entladungsgeräte.- I. Elementarteilchen und Atommodelle.- A. Typische Teilchendaten.- 1. Elektron.- 2. Ionen (z. B. H+-Ion, He+-Ion und Hg+-Ion).- 3. Strahlungsquanten (von Licht-, Röntgen-und radioaktiver Strahlung).- B. Teilchen- und Wellenbild.- 1. Beispiele zur experimentellen Bestimmung der Teilchen- bzw. Wellennatur der Elektronen.- a) Bestimmung der Elektronenladung e S..- b) Bestimmun gder Elektronenmasse m durch den Strahlungsdruck S..- c) Bestimmung des Verhältnisses e/m S..- d) Bestimmung der Elektronen-Wellenlänge durch Reflexion S..- 2. Mögliche Modell-Vorstellungen von Elektronen, Ionen und Atomen als Teilchen oder Welle.- C. Energiemodelle für Gase und Festkörper.- 1. Einzelheiten des Atombaus.- 2. Stoß Vorgänge.- a) Anregung und Ionisierung S..- b) Bestimmung der Ionisierungs- und Anregungsspannungen von Gasen durch Elektronenspektroskopie S..- 3. Termschemata.- a) Termschema der möglichen Energiezustände eines Gasatoms S..- b) Termschemata für den Kernzerfall S..- 4. Bändermodelle für Eestkörpergitter.- a) Metalle S..- b) Isolatoren S..- c) Eigen-Halbleiter S..- d) Störstellen-Halbleiter S..- D. Beschleunigung von Elementarteilchen im elektrischen Feld.- II. Thermische Elektronenquellen.- A. Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen bei der thermischen Emission.- 1. Energie-Struktur-Modelle für die Emission.- a) Bildkraft, Raumladung und Anodenfeld S..- b) Austrittsarbeit S..- 2. Maxwellsche Geschwindigkeits Verteilung.- 3. Fermi-Verteilung.- 4. Experimentelle Bestimmung der Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen im Bremsfeld vor einer Glühkathode. Anlauf strom- Diodenkennlinie.- B. Emissionskonstanten für einige Kathodenstoffe.- C. Massiv-Kathoden.- 1. Energiebändermodell für emittierende reine Metalle.- 2. Konstruktionsdaten und Lebensdauer.- 3. Vereinfachtes Dimensionierungs verfahren für Wolfram-Massivkathoden.- a) Wahl von Kathodenmaterial und Betriebstemperatur S..- b) Bestimmung des Kathodendrahtdurchmessers d und des Heizstroms IH aus der gewählten spezifischen Heizfadenspannung UHG pro cm Kathodenlänge S..- c) Bestimmung von Heizspannung Ue und Emissionsstrom Is aus der gewählten Fadenlänge h S..- 4. Formierung von Wolfram-Massivkathoden.- 5. Warm-Zugfestigkeit Fw= f(T) von Wolfram-Massivkathoden.- D. Atomfilm-Kathoden.- 1. Strukturmodelle von Metallen mit Oberflächenschichten.- 2. Energiebändermodelle von Atomfilm-Kathoden.- 3. Thorium-Atomfilmkathoden.- E. Bariumoxyd-Kathoden.- 1. Strukturmodell und Emissionsvorgang für Bariumoxyd-Kathoden.- 2. Energiebändermodell der Bariumoxyd-Kathode.- 3. Konstruktion einfacher Oxyd-Kathoden.- 4. Vorratskathoden.- a) Die L-Kathode S..- b) Imprägnierte Kathode S..- c) Gepreßte Kathode S..- d) Matrix-Kathoden S..- III. Photo-, Sekundär- und Feldemissions-Elektronenquellen.- A. Photoelektronenquellen.- 1. Gesetzmäßigkeiten beim äußeren lichtelektrischen Effekt.- a) Ia-Ua-Kennlinien einer Photozelle S..- b) Einsteinsche Gleichung S..- c) Energieverteilung und Energiegrenzen der Photoelektronen S..- 2. Bändermodell für metallische Photokathoden.- 3. Elektronenausbeute und Lumen-Empfindlichkeit von Photokathoden.- 4. Quantenausbeute von Photokathoden.- 5. Spektrale Empfindlichkeitskurven typischer Photokathoden.- 6. Ermüdung von Photokathoden.- B. Sekundärelektronenquellen.- 1. Mechanismus der Sekundärelektronen-Emission.- 2. Sekundäremissionskurven.- 3. Theorien der Sekundäremission.- C. Feldemissions-Elektronenquellen.- IV. Kernstrahlungsquellen.- A. Gesetzmäßigkeiten und Einheiten.- B. ?-Strahler (Quellen doppelt positiv geladener He-Ionen).- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer ?-Strahler.- C. ?-Strahler (Quellen schneller Elektronen).- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer ?-Strahler.- D. ?-Strahler [Quellen energiereicher Strahlungsquanten (? ? 10?9 cm)].- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer ?-Strahler.- a) Strahler niedriger Dosisleistung S..- b) Strahler hoher Dosisleistung S..- E. Positronenstrahler.- F. Neutronenstrahler.- 1. Eigenschaften.- 2. Ausführung typischer Neutronenstrahler.- a) Thermische Neutronenstrahler S..- b) Temporäre Neu-tronenstrahler aus Beryllium bzw. schwerem Eis S..- V. Technische Ionen- und Photonenquellen.- A. Technische Ionenquellen.- 1. Stoßionisations-Ionenquellen.- a) Kanalstrahlenquelle S..- b) Dampfstrahl-Ionenquelle S..- c) Quelle mit Elektronenpendelung im Gas S..- d) Glüh- kathoden-Gasentladungsquelle (Zyklotron-Ionenquelle nachLivingston) S..- 2. Thermische Ionenquellen.- B. Quellen für elektromagnetische Strahlung.- 1. Röntgenstrahlungsquellen.- 2. Leuchtschirme als Photonenquellen.- a) Mögliche Energie-Transformationen durch Leuchtschirme S..- b) Lichtquantenausbeute von Leuchtschirmen bei Elektronenbestrahlung S..- c) Energiebändermodell eines Luminophors S..- VI. Teilchenströme in Hochyakuum-Entladungsstrecken.- A. Stromwirkung des Einzelelektrons.- B. Teilchenströme im Hochvakuum bei schwacher Raumladung.- 1. Teilchenbahnen im homogenen elektrischen Feld.- a) Bahngleichungen S..- b) Relativistischer Fall S..- c) Anwendung der Elektronenstrahlablenkung im elektrischen Feld S..- 2. Teilchenbahnen im homogenen Magnetfeld.- a) Bahngleichungen S..- b) Relativistischer Fall S..- c) Anwendungen der magnetischen Ablenkung S..- 3. Teilchenbahnen im zusammengesetzten elektrischen und magnetischen Feld.- a) Allgemeine Bahngleichungen S..- b) Besondere Anwendungen S. 106..- C. Teilchenströme im Hochvakuum bei starker Raumladung.- 1. Raumladungsbegrenzung von Teilchenströmen.- 2. Der Raumladungs-Teilchenstrom in einer Diode mit ebenen Elektroden.- a) Teilchenstrom bei Vernachlässigung der Elektronen-Austritts- geschwindigkeit (v0 = 0) S..- b) Teilchenstrom bei Berück-sichtigung der Elektronen-Austrittsgeschwindigkeit (v0? 0; Geschwindigkeitsverteilung entsprechend dem Anlaufstromgesetz) S..- 3. Wirkungen der Raumladung in elektronenoptischen Entladungsgeräten.- VII. Grundlagen der geometrischen Elektronenoptik.- A. Vergleich der geometrischen Elektronenoptik mit der Lichtoptik.- B. Das elektronenoptische Brechungsgesetz.- 1. Elektronenstrahlbrechung im elektrischen Ablenkfeld.- 2. Elektronenstrahlbrechung an einer planparallelen elektrischen Doppelschicht (Feldschicht).- C. Elektronenoptische Abbildungsgesetze.- 1. Brennweitengleichung für eine sphärisch gekrümmte elektrische Doppelschicht.- 2. Abbildungsmaßstab für elektrische Linsen.- D. Typische elektrische und magnetische Elektronenlinsen.- 1. Elektrische Elektronenlinsen.- a) Netzlinsen (Doppelschichtlinien) S..- b) Lochscheibenlinsen S..- c) Rohrlinsen S. 128..- 2. Magnetische Elektronenlinsen.- E. Experimentelle Bestimmung von Feldern und Bahnen in der Elektronenoptik.- 1. Feldbestimmung.- a) Elektrische Felder S..- b) Magnetische Felder S. 135..- 2. Bahnbestimmung.- a) Graphische Bahnbestimmung S..- b) Experimentelle Bahn-bestimmung S..- VIII. Wirkungsweise stromsteuernder Hoch Vakuumröhren.- A. Hochvakuum-Mehrpolröhren.- 1. Hochvakuumdiode.- 2. Hochvakuumtriode.- a) Statische Kennliniengleichung S..- b) Dynamische Kennliniengleichung S..- c) Strom-, Spannungs- und Leistungs-verstärkung S..- 3. Tetrode (Röhre mit zwei Gittern).- 4. Pentode (Röhre mit drei Gittern).- 5. Hexode, Heptode, Oktode (Röhren mit 4, 5 und 6 Gittern).- B. Mikrowellenröhren.- 1. Laufzeittriode (500 bis 6000 MHz).- 2. Klystron (200 bis 50000 MHz).- a) Zwei- und Mehrkammer-Klystron S..- b) Reflexklystron S. 153..- 3. Das Magnetron (bis 30000 MHz).- 4. Die Wanderfeldröhre (bis 50000 MHz).- 5. Die Rückwärtswellenröhre ("Carcinotron"; bis 100000 MHz).- IX. Teilchenströme in Gasentladungsstrecken.- A. Teilchenstrom bei Ionisierung durch Elektronenstoß.- 1. Townsendscher Ionisierungskoeffizient und spezifische Ionisierung.- 2. Stromverstärkung.- 3. Kontinuitätsbedingung für den Teilchenstrom.- B. Teilchenstrom bei Ionisierung durch Elektronen- und Ionenstoß.- 1. Stromverstärkung bei zusätzlicher Erzeugung von Ladungsträgern durch Ionenstöße im Gasraum.- 2. Stromverstärkung bei zusätzlicher Erzeugung von Ladungsträgern durch Ionenaufprall auf die Kathode.- 3. Zündbedingung und Paschensches Gesetz.- C. Allgemeine Gasentladungs-Charakteristik.- X. Teilchenströme in Halbleitern.- A. Leitfähigkeit von Halbleitern.- 1. Eigenleitung und Störstellenleitung.- a) Eigenleitung S..- b) Störstellenleitung S..- c) Quantitatives Ergebnis der Reinigung und Aktivierung von Germanium bzw. Silizium S. 177..- 2. Trägerbeweglichkeiten und spezifische Leitfähigkeit.- B. Verhalten von Halbleiter-Kontakten.- 1. Halbleiter-Metall-Kontakte.- a) Bedingungen für (ungetemperte) Ohmsche Kontakte S..- b) Bedingungen für (ungetemperte) Sperrschichtkontakte (Gleichrichter) S..- 2. p-n-Verbindungen.- a) Ohne äußeres Feld S..- b) Mit äußerem Feld ("Kristalldiode") S..- 3. p-n-p-Verbindungen ("Transistoren").- a) Aufbau und Wirkungsweise eines p-n-p-Transistors S..- b) Transistorschaltungen und -kennlinien S..- 4. Lichtempfindliche p-n-Verbindungen ("Photoelement").- 5. Vergleich zwischen Halbleiter- und Hochvakuum-Entladungsgeräten.- a) Dioden S..- b) Mehrpolgeräte S..- XI. Literaturverzeichnis zum Kapitel 1.- 2 Hochvakuumtechnik und Herstellungsprozesse der Entladungsgeräte.- I. Wechselwirkung von Teilchen mit Gasen und Dämpfen.- A. Ergebnisse der kinetischen Gastheorie.- 1. Atommasse und Atomgewicht (Eigenschaften des Einzelteilchens).- 2. Maxwellsche Geschwindigkeitsverteilung der Gasmoleküle (Eigenschaften des Teilchenkollektivs).- 3. Verhalten der Gase und Dämpfe (also des Teilchenkollektivs) 205 a) Boyle-Mariottesches Gesetz S..- b) Gay-Lussacsches Gesetz S..- c) Zustandsgieichung der idealen Gase S..- d) Daltonsches Gesetz (für Gemische von idealen Gasen) S..- e) Konzentration von Gasen und Dämpfen; Gesetz von Avogadro S. 209..- f) Volumen V einer Gasmenge vom Gewicht O S..- B. Auswahl der Gase und Dämpfe für Entladungsgeräte.- 1. Gasfüllungen zur Verdampfungserschwerung.- 2. Gasfüllungen zur Wärmeableitung.- 3. Gas- und Dampffüllungen zur Lichterzeugung.- a) Spektren (gleicher Gesamtintensität) von Hg bei verschiedenem Dampfdruck S..- b) Spektren von Argon bei verschiedenen Stromdichten (Betriebsspannungen) S..- c) Verschiedene Spektren von verschiedenen Zonen einer Glimmentladung S..- 4. Gasfüllungen zur Stromleitung.- C. Gewinnung und Reinigung der Füllgase für Entladungsgeräte.- 1. Edelgase.- a) Gewinnung S..- b) Reinigung S..- 2. Unedle Gase und Dämpfe.- a) Wasserstoffs..- b) Sauerstoff S..- c) Stickstoff S..- d) Dämpfe S..- D. Die mittlere freie Weglänge von Gasmolekülen, Elektronen und Ionen.- 1. Definition der mittleren freien Weglänge aus dem Gesetz der d) S..- d) Konturenschärfe von Metalldampfniederschlägen im Vakuum S..- e) Wahl der mittleren freien Weglänge bei Verdampfungsanlagen S. 237..- E. Dissoziation zweiatomiger zu einatomigen Gasen bei hohen Temperaturen.- II. Wechselwirkung von Elektronen mit Festkörpern 238.- A. Geschwindigkeitsstreuung und praktische Reichweite Re von Elektronen in "dicken"Folien bzw. Gasschichten (Gebiet der Vielfachstreuung; Foliendicke ?Re; 1? Aufzehrung von Gasen und Dämpfen durch gekühlte Oberflächen ("kryogenes Pumpen").- 2. Gasadsorption durch Kohle.- 3. Gasaufzehrung durch massive Metalle ("Kontaktgetterung").- a) Tantal (Ta) S..- b) Wolfram (W) und Molybdän (Mo) S..- c) Zirkonium (Zr) S..- d) Thorium (Th) und Uran (U) S..- e) Eisen (Fe) S..- f) Weitere Metalle S..- 4. Gasaufzehrung durch Metalldämpfe ("Verdampfungsgetterung").- a) Erwünschte Eigenschaften eines Verdampfungsgetters S..- b) Nachteile der Dampfgetter S..- 5. Gasaufzehrung durch Phosphor.- 6. Aufzehrung von Wasserdampf durch Trockenmittel.- IV. Vakuummeßtechnik und -meßgeräte.- A. Federmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Meßbereich.- B. Flüssigkeitsmanometer (Barometer).- 1. U-Rohr-Manometer.- a) Prinzip S..- b) Meßbereich S..- 2. Ringwaage-Druckmesser.- a) Prinzip S..- b) Meßbereich S..- C. Molekulardruckmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Meßbereich.- D. Reibungsmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Meßbereich.- E. Kompressionsmanometer nach McLEod.- 1. Prinzip.- 2. Aufbau.- 3. Wirkungsweise.- a) Druckmessung bei veränderlichem Kompressionsvolumen S..- b) Druckmessung bei konstantem Kompressionsvolumen S..- 4. Meßbereich.- 5. "Klebevakuum".- 6. Verkürztes Kompressionsmanometer.- 7. Vakuskop.- 8. Vor- und Nachteile des Kompressionsmanometers.- F. Wärmeleitungsmanometer.- 1. Prinzip.- 2. Ausführungsformen von Wärmeleitungsmanometern.- a) Widerstandsmanometer S..- b) Thermoelektrisches Manometer S..- 3. Anwendungen.- G. Ionisationsmanometer.- 1. Glühdraht-Ionisationsmanometer.- a) Triode mit negativem Gitter und Glühkathode S..- b) Bremsfeldtriode mit positivem Gitter und Glühkathode S..- c) Bayard-Alpert-Manometer S..- d) Nachteile der Glühdraht- Ionisationsmanometer S..- 2. Ionisationsmanometer mit kalter Kathode und Magnetfeld (Penning-Manometer).- a) Aufbau und Wirkungsweise S..- b) Meßbereich S..- c) Vor- und Nachteile S..- 3. Radium-Ionisationsmanometer (Alphatron).- a) Aufbau und Wirkungsweise S..- b) Meßbereich S..- c) Vor- und Nachteile S..- 4. Druckimpuls-Vakuummessung.- 5. Massenspektrographische Manometer.- a) Massenspektrograph-Manometer mit Magnetfeld S..- b) HF-Massenspektrograph-Manometer mit geradliniger Ionenbahn ("Laufzeit-Spektrograph") S..- c) HF-Massenspektrograph-Manometer mit spiralförmiger Ionenbahn ("Omegatron") S. 288..- H. Lecksuchgeräte.- 1. Druckanstiegsmessung beim Zuschalten einer Leckstelle.- 2. HF-Vakuumprüfer (Tesla-Prüfgerät).- 3. Abtasten mit einem Aroder He-Gasstrahl.- 4. Abtasten mit einem Ha-Strahl.- 5. Abtasten mit Trichloräthylen.- 6. Abtasten mit Dämpfen von Halogenverbindungen ("Halogen-Lecksucher").- 7. Differentielle Kondensationsmethode.- V. Vakuumpumpen.- A. Berechnung der Pumpvorgänge.- 1. Charakteristische Größen einer Vakuumpumpe.- a) Fördervolumen Fp bzw. Saugleistung S S..- b) Grenzdruck Pg S..- c) Zulässiger Außendruck p? S..- 2. Berechnung der Auspump- und Fördervolumen- Kennlinien.- a) Fp = Fpmax = const ("Ideale Vakuumpumpe") S..- b) Fp - F(p) (alle technischen Vakuumpumpen) S..- B. Ausführungsformen von rotierenden Vakuumpumpen.- 1. Vorvakuumpumpen.- a) Kolbenpumpe S..- b) Drehschieberpumpe S..- c) Drehkolbenpumpe (Schieber-Wälzpumpe) S..- 2. Fein- und Hochvakuumpumpen.- a) Rootspumpe (Zahnrad-Wälzpumpe) S..- b) Molekular-luftpumpen S..- 3. Leistungsbedarf rotierender Vakuumpumpen in Abhängigkeit vom Druck.- C. Treibmittelpumpen.- 1. Wasserstrahlpumpe (für Vorvakuum).- 2. Dampfstrahl- und Diffusionspumpen (für Hochvakuum).- a) Prinzip S..- b) Dimensionierung von Dampfstrahl- und ? 10-3 Torr; ?g ? 2R.- 2. Strömungswiderstand bei relativ niedrigen Drucken (p < ? 10?3 Torr;?g ? 2R).- a) Lange Vakuumleitungen (l?R; ?g?2R) S..- b) Öffnung in einer dünnen Wand (l?R; ?gR) S..- c) Kurze Vakuumleitungen (l?R; ?g>2R) S..- 3. Strömungswiderstand für lange Vakuumleitungen im gesamten Druckbereich (l?R;?gbeliebig).- C. Berechnung von Vakuumanlagen.- 1. Fördervolumen in einem Vakuumleitungssystem mit angeschlossener Pumpe.- 2. Förderleistung in einem Vakuumleitungssystem mit angeschlossener Pumpe.- 3. Gütegrad einer Pumpanlage.- 4. Fördervolumen und Gütegrad von Vakuumanlagen im Gebiet der äußeren Eeibung (?g?R; p < ? 10?3 Torr).- D. Auswahl der Vorpumpe für eine gewählte Hochvakuumpumpe.- VII. Typische Fertigungsverfahren für Elektronengeräte.- A. Vakuum-Elektronengeräte.- 1. Eigenschaften der verwendeten Werkstoffe.- 2. Typische Fertigungsverfahren für Röhrenbauteile aus Metall.- a) Formgebung und Elektrodenaufbau S..- b) Verbindungen von Röhren-Metallteilen S..- c) Oberflächenbehandlung von Metallen S..- 3. Typische Fertigungs verfahren für Röhrenbauteile aus Glas.- a) Allgemeines S..- b) Formgebung von Glas S..- c) Oberflächenbehandlung S..- 4. Vakuumdichte Glas-Glas- und Glas-Metall-Verschmelzungen.- 5. Herstellung von Photokathoden.- a) Ag-Cs2O-Cs-Kathode (Oxydschicht-Photokathode) S..- b) SbCs3-Kathode (Metallverbindungs-Photokathode) S..- c) Sb-K-Na-Cs-Kathode (Mehrschicht-Photokathode; "Multialkali cathode") S..- 6. Herstellung von Leuchtschirmen.- a) Perlverfahren S..- b) Sedimentationsverfahren S..- c) Auf dampf verfahren S..- d) Aufdruckverfahren S..- e) Aluminisierung von Leuchtschirmen S..- B. Festkörper-Elektronengeräte.- 1. Eigenschaften der verwendeten Werkstoffe.- 2. Herstellung reiner Halbleiter.- a) Herstellung reiner Ge-Einkristalle S..- b) Herstellung reiner Si-Einkristalle S..- c) Herstellung von n- und p-Germanium bzw. n- und p-Silizium durch Dotierung (Aktivierung) S..- 3. Herstellung von Halbleiter-Metall-Kontakten.- a) Herstellung von Ohmschen (nichtgleichrichtenden) Kontakten S..- b) Herstellung von gleichrichtenden (Sperrschicht-)Kontakten S..- 4. Herstellung von (gewachsenen) p-n-Sperrschichten für Dioden.- a) Kristallziehung mit konstanter Geschwindigkeit S..- b) Kristallziehung mit periodisch veränderlicher Geschwindigkeit ("rate grown"-Verfahren) S..- c) Epitaxial-Verfahren S..- 5. Herstellung von Transistoren.- a) Legierungs-Transistor S..- b) Gezogener Transistor S..- c) Diffusions-Transistor S..- d) Mesa-Transistor S..- e) Epitaxial-Transistor S..- f) Planar-Transistor S..- g) Epitaxial-Planar-Transistor S..- 6. Gehäuse für Dioden und Transistoren.- a) Klarglas-Gehäuse S..- b) Sinterglas-Gehäuse S..- c) Gehäuse mit Preßglasteller S..- d) Metall-Gehäuse mit Glaseinschmelzung S..- e) Kunststoff-Gehäuse S..- f) Gehäusefüllung S..- 7. Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen.- a) Geätzte (gedruckte) Schaltungen S..- b) Mikromodul-Schaltungen S..- c) Integrierte Schaltungen S..- d) Halbleiter-Funktionsblöcke S..- VIII. Literaturverzeichnis zum Kapitel 2.