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Systemintegration
Vom Transistor zur großintegrierten Schaltung
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Das neue Werk von Hoffmann trägt der rasanten Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Schaltungen Rechnung. Aufbauend auf den Kenntnissen der Bauelemente werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt. Die vollkommen überarbeitete Fassung ist Nachfolger des Buchs Hoffmann, VLSI, 4. Auflage.Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Systemen mit Millionen von Transistoren auf einem Chip hat das Arbeitsfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Es stehen zwar seh...
Das neue Werk von Hoffmann trägt der rasanten Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Schaltungen Rechnung. Aufbauend auf den Kenntnissen der Bauelemente werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt. Die vollkommen überarbeitete Fassung ist Nachfolger des Buchs Hoffmann, VLSI, 4. Auflage.
Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Systemen mit Millionen von Transistoren auf einem Chip hat das Arbeitsfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Es stehen zwar sehr gute CAD-Hilfen zur Verfügung, aber viele weitere Schwierigkeiten müssen anders überwunden werden.
Die Technologien sind im Laufe der Zeit wesentlich komplexer geworden, durch die Verkleinerung der Strukturen traten immer neue Effekte bei den Bauelementen in Erscheinung. Daher muss man überprüfen, ob auch wirklich alle Effekte in den Transistormodellen richtig erfasst sind und ob die zugehörigen Parameter die durch die Fertigung bedingten Toleranzen richtig wiedergeben. Wird etwas übersehen, so kann es u.U. bei einem gefertigten System zu einem totalen oder weichen Ausfall kommen.
Um solche Aufgabenstellungen in der Praxis erfolgreich zu bearbeiten, wird in den ersten vier Kapiteln des Buchs fundiertes Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Aufbauend auf diesen Kenntnissen werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt.
Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten CMOS- und BICMOS-Schaltungen hat das Umfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Das Verständnis für Zusammenhänge von physikalischen Effekten der Bipolar- und MOS-Transistoren auf die Funktion digitaler und analoger Schaltungen sowie auf statische, dynamische und nichtflüchtige Speicher ist durch die kontinuierliche Strukturverkleinerung zwingend erforderlich geworden. Zwar erleichtern diverse CAD-Hilfen die Arbeit, überschlägige Schaltungsberechnungen, die das Verständnis und die Innovation fördern sind jedoch unumgänglich.
Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Systemen mit Millionen von Transistoren auf einem Chip hat das Arbeitsfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Es stehen zwar sehr gute CAD-Hilfen zur Verfügung, aber viele weitere Schwierigkeiten müssen anders überwunden werden.
Die Technologien sind im Laufe der Zeit wesentlich komplexer geworden, durch die Verkleinerung der Strukturen traten immer neue Effekte bei den Bauelementen in Erscheinung. Daher muss man überprüfen, ob auch wirklich alle Effekte in den Transistormodellen richtig erfasst sind und ob die zugehörigen Parameter die durch die Fertigung bedingten Toleranzen richtig wiedergeben. Wird etwas übersehen, so kann es u.U. bei einem gefertigten System zu einem totalen oder weichen Ausfall kommen.
Um solche Aufgabenstellungen in der Praxis erfolgreich zu bearbeiten, wird in den ersten vier Kapiteln des Buchs fundiertes Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Aufbauend auf diesen Kenntnissen werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt.
Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten CMOS- und BICMOS-Schaltungen hat das Umfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Das Verständnis für Zusammenhänge von physikalischen Effekten der Bipolar- und MOS-Transistoren auf die Funktion digitaler und analoger Schaltungen sowie auf statische, dynamische und nichtflüchtige Speicher ist durch die kontinuierliche Strukturverkleinerung zwingend erforderlich geworden. Zwar erleichtern diverse CAD-Hilfen die Arbeit, überschlägige Schaltungsberechnungen, die das Verständnis und die Innovation fördern sind jedoch unumgänglich.