23,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
12 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Osnownoe mesto w sowremennoj tehnologii izgotowleniq izdelij mikroälektroniki zanimaet fotolitografiq. Tehnologicheskij process fotolitografii sostoit iz neskol'kih osnownyh operacij: podgotowki powerhnosti poluprowodnikowoj plastiny, naneseniq na powerhnost' plastiny sloq fotorezista, sushki fotorezista, äxponirowaniq, proqwleniq i zadubliwaniq fotorezista, kontrolq geometricheskih razmerow izobrazheniq, trawleniq plenki, promywki plastiny posle trawleniq, udaleniq plenki fotorezista s powerhnosti, kontrolq obrabotannyh plastin. Cel'ü raboty qwlqlos' poluchenie fotoshablonow s minimal'nymi…mehr

Produktbeschreibung
Osnownoe mesto w sowremennoj tehnologii izgotowleniq izdelij mikroälektroniki zanimaet fotolitografiq. Tehnologicheskij process fotolitografii sostoit iz neskol'kih osnownyh operacij: podgotowki powerhnosti poluprowodnikowoj plastiny, naneseniq na powerhnost' plastiny sloq fotorezista, sushki fotorezista, äxponirowaniq, proqwleniq i zadubliwaniq fotorezista, kontrolq geometricheskih razmerow izobrazheniq, trawleniq plenki, promywki plastiny posle trawleniq, udaleniq plenki fotorezista s powerhnosti, kontrolq obrabotannyh plastin. Cel'ü raboty qwlqlos' poluchenie fotoshablonow s minimal'nymi parametrami, wozmozhnymi dlq dannogo oborudowaniq. Dlq ätogo issledowalos' wliqnie wremeni äxpozicii i wremeni proqwleniq na parametry fotoshablonow (harakter risunka), poluchennyh metodom bezmaskowoj lazernoj litografii na ustanowke äxponirowaniq "Heidelberg µPG501". V rezul'tate wypolneniq raboty byli izgotowleny fotoshablony s geometricheskimi parametrami 2 mkm, pri ätom dlq dannoj partii ustanowleny optimal'nye wremq äxpozicii 35 ms i wremq proqwleniq 60 s .
Autorenporträt
Elena Anatol'ewna Shnqgina - student (magistr) Nacional'ngo issledowatel'skogo tehnologicheskgo uniwersiteta «MISiS», Institut nowyh materialow i nanotehnologij.