SOI nMOSFET Canal DELTA ¿ Corrente de fuga em altas temperaturas
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O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utilização da tecnologia MOS convencional, devido à excessiva elevação da corrente de fuga nas junções, que aumenta a potência dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degradação da tensão de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, há relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa à tecnologia MOS convencional, devido à significativa redução da corrente de fuga das junções e da menor variação da tensão de limiar com a temper...
O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utilização da tecnologia MOS convencional, devido à excessiva elevação da corrente de fuga nas junções, que aumenta a potência dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degradação da tensão de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, há relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa à tecnologia MOS convencional, devido à significativa redução da corrente de fuga das junções e da menor variação da tensão de limiar com a temperatura. Este trabalho investiga o comportamento do SOI nMOSFET de canal ¿ totalmente depletados, submetidos a temperaturas que variam desde a ambiente até 300ºC, dando um enfoque especial para o estudo do comportamento das correntes de fuga em função da temperatura, sendo assim, realizou-se uma série de simulações numéricas tridimensionais variando-se as dimensões geométricas dos dispositivos, Isto é, a largura do canal (W) e o comprimento (L), para verificar qual o comportamento elétrico demonstrado por estes transistores quando operando em tais condições.
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