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O ferromagnetismo a temperatura ambiente no grande e direto bandgap de óxido de zinco semicondutor magnético diluído (ZnO) é atribuído aos defeitos intrínsecos e à interação do acoplamento p-orbital-p-orbital (p-p). Entretanto, devido à oxidação, o ferromagnetismo induzido por defeitos é instável. No presente trabalho, a via de síntese do processo de solução foi utilizada para o crescimento de amostras à base de nanofios de ZnO (ZnO NW) puros e bismutados, altamente cristalinos. A curva de magnetização (M-H) de todas as amostras mostrou comportamento ferromagnético à temperatura ambiente. A magnetização de saturação para as Bi-dopadas é de ±0,25 emu/g e para as não dopadas é de ±2,0 emu/g, portanto, uma magnetização quase 10 vezes maior. Espectroscopia de Quebra Induzida a Laser (LIBS) confirmou a presença de elementos dopantes no ZnO. Difração de raios X (DRX) e Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) mostraram pico pronunciado 002 ao longo do eixo c, tendo a face superior hexagonal, respectivamente.O pico XRD de alargamento foi usado para estimar o stress e saiu 2,51x10-2 para ZnO puro & 5,80x10-2 para ZnO NWs Bi-doped. UV-Vis mostrou a mudança na faixa de ZnO NWs após o doping.