27,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
14 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Prozrachnye prowodqschie pokrytiq (PPP) SnO2, Jn2 O3, JTO predstawlqüt soboj razlichnye tonkoplenochnye materialy (poluprowodnikowye oxidy metallow, polimery, uglerodnye struktury), kotorye obladaüt wysokoj älektroprowodnost'ü i horoshej opticheskoj prozrachnost'ü. Naibol'shee primenenie segodnq poluchili PPP na osnowe metallooxidow (MeO). Bol'shinstwo iz nih ¿ äto binarnye soedineniq (In2O3, ZnO, SnO2 i CdO), soderzhaschie odin metallicheskij älement. V stehiometricheskom sostawe dannye soedineniq qwlqütsq diälektrikami, odnako, iz-za bol'shogo kolichestwa wnutrennih defektow, kotorye…mehr

Produktbeschreibung
Prozrachnye prowodqschie pokrytiq (PPP) SnO2, Jn2 O3, JTO predstawlqüt soboj razlichnye tonkoplenochnye materialy (poluprowodnikowye oxidy metallow, polimery, uglerodnye struktury), kotorye obladaüt wysokoj älektroprowodnost'ü i horoshej opticheskoj prozrachnost'ü. Naibol'shee primenenie segodnq poluchili PPP na osnowe metallooxidow (MeO). Bol'shinstwo iz nih ¿ äto binarnye soedineniq (In2O3, ZnO, SnO2 i CdO), soderzhaschie odin metallicheskij älement. V stehiometricheskom sostawe dannye soedineniq qwlqütsq diälektrikami, odnako, iz-za bol'shogo kolichestwa wnutrennih defektow, kotorye wyrazhaütsq w nalichii kislorodnyh wakansij ili w prisutstwii mezhuzel'nyh atomow metalla, oni mogut stanowit'sq poluprowodnikami s shirokoj zapreschennoj zonoj (Eg>3 äV). Jenergiq obrazowaniq wakansij i atomow w mezhdouzlii pri ätom ochen' nizka, poätomu dannye defekty legko formiruütsq, chto ob#qsnqet otnositel'no nizkoe soprotiwlenie nestehiometricheskih metallooxidow [1]. Vysokaq prowodimost' PPP na ih osnowe po-prezhnemu obespechiwaetsq wwedeniem primesnyh atomow. Legirowanie pozwolqet uwelichit' koncentraciü nositelej zarqda za schet neglubokih primesnyh urownej, kotorye obrazuütsq w zonnoj strukture MeO.
Autorenporträt
Muzafarowa Sultanpasha Anwarowna - Kandidat fiziko-matematicheskih nauk - s.n.s. laboratorii «Fotoälektronika» FTI «Fizika Solnca» AN UzR 1984 g., Otlichnik narodnogo obrazowaniq - 1997 g., Zasluzhennyj nastawnik molodözhi Uzbekistana - 2009 g.. Awtor bolee 180 statej, tezisow, awtorskih izobretenij.