Polarisationseffekte in Gruppe-(III)-Nitriden
Anwendung in p-Kanal FETs und elektromechanischen Strukturen
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Neuartige p-2DHG-Kanal GaN/InGaN/GaN HEMT Strukturen als auch Mikroelektromechanische GaN und AlGaN/GaN Sensorstrukturen (MEMS) wurden unter Ausnutzung der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Gruppe-(III)-Nitriden entwickelt und charakterisiert. Niederohmige ohmsche p-Typ Kontakte bestehend aus Au/Ni/Au oder NiPd/Au konnten ein 2DHG in einer rein polarisationsdotierten InGaN/GaN Heterostruktur kontaktieren. 2DHG-Kanal HEMTs wurden temperaturabhängig charakterisiert und CV- als auch Hall-Messungen bestätigten die Existenz eines 2DHG Kanals in der InGaN/GaN Heterostruktur. Außerde...
Neuartige p-2DHG-Kanal GaN/InGaN/GaN HEMT Strukturen als auch Mikroelektromechanische GaN und AlGaN/GaN Sensorstrukturen (MEMS) wurden unter Ausnutzung der spontanen und piezoelektrischen Polarisation in Gruppe-(III)-Nitriden entwickelt und charakterisiert. Niederohmige ohmsche p-Typ Kontakte bestehend aus Au/Ni/Au oder NiPd/Au konnten ein 2DHG in einer rein polarisationsdotierten InGaN/GaN Heterostruktur kontaktieren. 2DHG-Kanal HEMTs wurden temperaturabhängig charakterisiert und CV- als auch Hall-Messungen bestätigten die Existenz eines 2DHG Kanals in der InGaN/GaN Heterostruktur. Außerdem wurden freistehende GaN-Membran Strukturen auf (111)- Silizium Substrat technologisch realisiert. Interessante Polarisationseffekte in GaN-MEMS wurden durch mechanischen Stress induziert.
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