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Questo lavoro presenta lo sviluppo di un prototipo di oscillatore a micro-onde a frequenza fissa, intorno ai 3 GHz, con linee a microstriscia, utilizzando transistor bipolari ad alta frequenza e basso rumore, attraverso i parametri di diffusione Soscillatore a micro-onde a frequenza fissa, intorno ai 3 GHz, con linee a microstriscia, utilizzando transistor bipolari ad alta frequenza e basso rumore, attraverso i parametri di dispersione S, al fine di supportare le attività pratiche sviluppate nel laboratorio RF del corso di ingegneria elettrica dell'IFSUL. Vengono utilizzati strumenti di…mehr

Produktbeschreibung
Questo lavoro presenta lo sviluppo di un prototipo di oscillatore a micro-onde a frequenza fissa, intorno ai 3 GHz, con linee a microstriscia, utilizzando transistor bipolari ad alta frequenza e basso rumore, attraverso i parametri di diffusione Soscillatore a micro-onde a frequenza fissa, intorno ai 3 GHz, con linee a microstriscia, utilizzando transistor bipolari ad alta frequenza e basso rumore, attraverso i parametri di dispersione S, al fine di supportare le attività pratiche sviluppate nel laboratorio RF del corso di ingegneria elettrica dell'IFSUL. Vengono utilizzati strumenti di calcolo per lo sviluppo di equazioni per la conversione dei parametri di scattering, per il calcolo dell'adattamento di impedenza, per la realizzazione delle linee a microstriscia e per la polarizzazione del transistor. Infine, sono stati costruiti due prototipi e presentati i risultati. I prototipi hanno funzionato correttamente, evidenziando quello progettato con l'ausilio di uno strumento di calcolo.
Autorenporträt
Studente di Master in Ingegneria dei Materiali UFPEL. Laurea in ingegneria elettrica IFSUL (2015). Tecnico in elettronica IFSUL (2004). Attualmente Professore sostituto di Elettronica IFSUL. Ho lavorato come sostituto prof. di Automazione industriale IFRS - Campus Rio Grande (dal 2021 al 2022) e di Telecomunicazioni IFSUL - Câmpus Pelotas (dal 2017 al 2019), come celetista tecnico (dal 2011 al 2020).