16,99 €
inkl. MwSt.

Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
8 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

V ätoj knige predstawleno neskol'ko konstrukcij prqmougol'nyh antennyh sistem dlq primeneniq w razlichnyh diapazonah chastot. Antenna s cilindricheskim diälektricheskim rezonatorom (CDRA) ispol'zuetsq dlq proqwleniq lewoj i prawoj krugowyh polqrizacij. Antenna ispol'zuetsq dlq pitaniq otrazhatel'noj reshetki s cel'ü uwelicheniq ee koäfficienta usileniq w opredelennom naprawlenii. Razrabotany komponenty wyprqmitel'noj cepi. Issledowany razlichnye konstrukcii geometricheskih diodow na osnowe grafena, soedinennyh s nanoantennami dlq sbora infrakrasnoj (IK) änergii. I-V harakteristiki…mehr

Produktbeschreibung
V ätoj knige predstawleno neskol'ko konstrukcij prqmougol'nyh antennyh sistem dlq primeneniq w razlichnyh diapazonah chastot. Antenna s cilindricheskim diälektricheskim rezonatorom (CDRA) ispol'zuetsq dlq proqwleniq lewoj i prawoj krugowyh polqrizacij. Antenna ispol'zuetsq dlq pitaniq otrazhatel'noj reshetki s cel'ü uwelicheniq ee koäfficienta usileniq w opredelennom naprawlenii. Razrabotany komponenty wyprqmitel'noj cepi. Issledowany razlichnye konstrukcii geometricheskih diodow na osnowe grafena, soedinennyh s nanoantennami dlq sbora infrakrasnoj (IK) änergii. I-V harakteristiki geometricheskih diodow na osnowe grafena rasschitany metodom modelirowaniq Monte-Karlo. Rombowidnaq dipol'naq nanoantenna, soedinennaq s geometricheskim diodom dlq sbora änergii na chastote 19,4 TGc, ispol'zuetsq s dugoobraznym geometricheskim diodom, kotoryj pomeschen w zazor mezhdu dipol'nymi plechami dlq polucheniq wyhodnogo naprqzheniq 16,5 mkV. Issledowany dwa podhoda dlq powysheniq prinimaemogo naprqzheniq pri sbore änergii nanoantennoj. Dlq fokusirowki älektromagnitnyh woln na powerhnosti nanoantenny, soedinennoj s geometricheskim diodom, ispol'zuetsq prozrachnyj trasmitternyj massiw, a dlq powysheniq naprawlennosti odinochnogo älementa, soedinennogo s massiwom, ispol'zuetsq shema Yagi-nanoantenny.
Autorenporträt
H.A. Jel'-Arabi rodilsq w Egipte 25 awgusta 1990 goda. Poluchil stepeni bakalawra i magistra nauk w Uniwersitete Menufiq w 2012 i 2018 godah sootwetstwenno. V nastoqschee wremq on rabotaet inzhenerom w Ispolnitel'nom organe po gidroälektrostanciqm, Ministerstwo älektroänergetiki i änergetiki Egipta. Ego issledowatel'skij interes wklüchaet w sebq rektenny, otrazhatel'nye reshetki, peredaüschie reshetki i geometricheskie diody.