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Neste livro, as técnicas de engenharia de canal e engenharia de porta são combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo único (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avançados são dopados de forma não uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precisão os parâmetros característicos é modelar o seu perfil de dopagem não uniforme. O livro apresenta também um modelo analítico do potencial de superfície sublimiar, da tensão limiar, da corrente de drenagem baseada na teoria da deriva-difusão e da transcondutância para SHDMG e DHDMG n-MOSFETs lineares e de perfil gaussiano que funcionam até ao regime de 40 nm. É também proposto um modelo analítico de corrente de drenagem sub-limiar baseado no potencial quasi-Fermi para transístores SHDMG e DHDMG MOS lineares e de perfil gaussiano, incorporando os campos de franja nas duas extremidades do dispositivo.