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Se describe en forma general la estructura típica del diodo de potencia, se analizan los principales procesos físicos que se establecen en la polarización del dispositivo, se presenta el análisis para la obtención de la ecuación de difusión ambipolar, que permite modelar en forma muy aproximada el comportamiento de las cargas en la región de bajo dopado, N-, se analiza el fenómeno de transporte para la obtención de las corrientes inyectadas (electrones y huecos), y el proceso de modulación por conductividad para el cálculo de los voltajes a lo largo de la estructura del diodo de potencia en el material Carburo de Silicio.