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En el presente trabajo, utilizamos las propiedades ópticas de películas delgadas de óxido de zinc puras y dopadas como semiconductor de tipo n. Las películas delgadas se depositaron con diferentes moléculas de precursor mediante técnicas de pulverización ultrasónica y pirólisis por pulverización, así como a diferentes temperaturas del sustrato, las películas delgadas de ZnO dopadas con diversos dopantes como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. En este trabajo la atención se centró en el nuevo enfoque actual para calcular la energía de la brecha óptica y las energías de Urbach. Se estudió el…mehr

Produktbeschreibung
En el presente trabajo, utilizamos las propiedades ópticas de películas delgadas de óxido de zinc puras y dopadas como semiconductor de tipo n. Las películas delgadas se depositaron con diferentes moléculas de precursor mediante técnicas de pulverización ultrasónica y pirólisis por pulverización, así como a diferentes temperaturas del sustrato, las películas delgadas de ZnO dopadas con diversos dopantes como Al, In, Co, Ni, Sn, V, Fe, F, Sn. En este trabajo la atención se centró en el nuevo enfoque actual para calcular la energía de la brecha óptica y las energías de Urbach. Se estudió el modelo propuesto para calcular la brecha de banda o las energías de Urbach de películas delgadas de ZnO dopadas y no dopadas. La relación entre los datos experimentales y el cálculo teórico con las molaridades de los precursores sugiere que la brecha de banda o las energías de Urbach se estiman predominantemente por la brecha de banda o las energías de Urbach y la concentración de la solución de ZnO.
Autorenporträt
O Dr. Said Benramache nasceu na Argélia em 1981, recebeu o seu grau de D.Sc. em física da universidade de Mohamed Khider Biskra (Argélia), e o grau HDR em educação física. Tem mais de 100 trabalhos de investigação em revistas de renome internacional. É também editor associado de duas revistas internacionais.