N'q Vo Kuang

Kremniewye p+¿n-struktury, obluchennyh wysokoänärgeticheskimi ionami

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Razvitie fiziki radiacionnyh defektov v kremnii tesno svyazano s resheniem prakticheskih problem sozdaniya bystrodejstvujushhih silovyh tranzistorov i diodov, a takzhe povysheniya radiacionnoj stojkosti poluprovodnikovyh priborov. Aktual'nost' temy raboty opredelyaetsya neobhodimost'ju v novoj informacii: vo-pervyh, o vliyanii neravnomernogo raspredeleniya radiacionnyh defektov i ih skoplenij na perehodnye processy i perenos zaryada v bar'ernyh strukturah, chto mozhet byt' ispol'zovano dlya otrabotki novyh radiacionnyh tehnologij upravleniya staticheskimi i dinamicheskimi parametrami diskretnyh bipolyarnyh poluprovodnikovyh priborov; vo-vtoryh, o defektah, sozdavaemyh pri obluchenii poluprovodnikov vysokojenergeticheskimi tyazhelymi chasticami, chto vazhno dlya prognozirovaniya radiacionnoj stojkosti jelektronnyh priborov. V rabote izlozheny rezul'taty issledovanij kremnievyh p+-n-struktur, obluchennyh vysokojenergeticheskimi ionami vismuta, kriptona, xenona. Predstavleny jexperimental'nye dannye, podtverzhdajushhie vozmozhnost' ispol'zovaniya oblucheniya ionami vismuta s jenergiej 700 MjeV v tehnologii proizvodstva bystrodejstvujushhih silovyh diodov na kremnii.

Produktdetails

• Verlag: LAP Lambert Academic Publishing
• Seitenzahl: 100
• Erscheinungstermin: 31. März 2017
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 6mm
• Gewicht: 167g
• ISBN-13: 9783848491018
• ISBN-10: 384849101X
• Artikelnr.: 48113737

Autorenporträt

Vo Kuang N'q: - Ot 2004 godu do 2009 - stepen' bakalawra.- V 2009 godu - stepen' magistra.- Ot 2009 do 2011 rabotal w Hüässkom uniwersitete, V'etnam.- V 2014 godu ¿ stepen' kandidata.- V 2015 godu- stazhirowka.- Ot 2016 godu po nastoqschee wremq rabotaet w Hüässkom uniwersitete, V'etnam.