Andere Kunden interessierten sich auch für
![Evaluación del rendimiento de los algoritmos de control activo del ruido para un conducto]( "Evaluación del rendimiento de los algoritmos de control activo del ruido para un conducto")
Evaluación del rendimiento de los algoritmos de control activo del ruido para un conducto27,99 €![Análisis del rendimiento de la codificación conjunta de turbo para el MIMO-OFDM sobrecargado]( "Análisis del rendimiento de la codificación conjunta de turbo para el MIMO-OFDM sobrecargado")
Análisis del rendimiento de la codificación conjunta de turbo para el MIMO-OFDM sobrecargado36,99 €![Análisis del rendimiento de diferentes estructuras de celdas DRAM basadas en CMOS]( "Análisis del rendimiento de diferentes estructuras de celdas DRAM basadas en CMOS")
Análisis del rendimiento de diferentes estructuras de celdas DRAM basadas en CMOS27,99 €![Mejora del rendimiento de los OLED mediante la variación del dopaje y el grosor]( "Mejora del rendimiento de los OLED mediante la variación del dopaje y el grosor")
Mejora del rendimiento de los OLED mediante la variación del dopaje y el grosor36,99 €![Análisis del rendimiento de los protocolos de enrutamiento MANET bajo amenazas de seguridad]( "Análisis del rendimiento de los protocolos de enrutamiento MANET bajo amenazas de seguridad")
Análisis del rendimiento de los protocolos de enrutamiento MANET bajo amenazas de seguridad48,99 €![Mejora del rendimiento de los sistemas autónomos de energía renovable]( "Mejora del rendimiento de los sistemas autónomos de energía renovable")
Mejora del rendimiento de los sistemas autónomos de energía renovable41,99 €![La incidencia del uso de las Tic's en el Rendimiento Académico.]( "La incidencia del uso de las Tic's en el Rendimiento Académico.")
La incidencia del uso de las Tic's en el Rendimiento Académico.40,99 €
La progresión en la integración a muy gran escala permite colocar miles de millones de transistores y componentes en un único chip semiconductor para implementar circuitos complejos. El crecimiento de la tecnología reciente se dirige hacia la miniaturización de los dispositivos semiconductores, que tienen varios obstáculos notables en la disipación de calor, la utilidad de la energía, el área del chip y la eficiencia de los dispositivos. A medida que la tecnología avanza hacia el nivel submicrónico profundo, el tamaño de las características y la disipación de energía debida a la corriente de fuga aumentan a un ritmo alarmante. Numerosas proyecciones muestran que la potencia de fuga se convertirá en análoga a la disipación de potencia dinámica en los próximos años; sin embargo, la potencia dinámica también está aumentando y sigue dominando. La solución óptima para resolver estos obstáculos es analizar el rendimiento de los circuitos VLSI diseñados utilizando diferentes tecnologías CMOS.