Etude ab-initio de la surface du CdTe
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Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dÃ...
Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coût en énergie de surface des facettes d'îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.