Ein effizientes System zur teilweisen Erkennung von Handflächenabdrücken anhand von Rillen - Ganesan, Karthick;George, Allen
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Die Erkennung von Handabdrücken wurde in den letzten zehn Jahren untersucht. In dieser Zeit wurden verschiedene Probleme angegangen. Die Beugefalten werden als Hauptlinien und die sekundären Falten als Runzeln bezeichnet. Die Grate in den Handflächen sind einzigartig und hartnäckig. Der Handflächenbereich besteht aus mehr Minutien als die Fingerabdrücke und gilt daher als unverwechselbarer als Fingerabdrücke. Für diese Systeme ist eine hohe Auflösung, z. B. 500 PPI, die Standardauflösung für die Erfassung in Systemen, die Rippenmerkmale zur Identifizierung verwenden. Bestehende Systeme zum…mehr

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Produktbeschreibung
Die Erkennung von Handabdrücken wurde in den letzten zehn Jahren untersucht. In dieser Zeit wurden verschiedene Probleme angegangen. Die Beugefalten werden als Hauptlinien und die sekundären Falten als Runzeln bezeichnet. Die Grate in den Handflächen sind einzigartig und hartnäckig. Der Handflächenbereich besteht aus mehr Minutien als die Fingerabdrücke und gilt daher als unverwechselbarer als Fingerabdrücke. Für diese Systeme ist eine hohe Auflösung, z. B. 500 PPI, die Standardauflösung für die Erfassung in Systemen, die Rippenmerkmale zur Identifizierung verwenden. Bestehende Systeme zum Abgleich von Handflächenabdrücken basierten auf Bildern mit niedriger Auflösung (100 ppi). Zusätzlich zu den hochauflösenden Handflächenabdrücken muss auch der Abgleich von Teil- zu Vollabdrücken unterstützt werden. Solche Teilhandflächenabdrücke, die aus den Handflächenabdrücken an Tatorten gewonnen wurden, werden als latente Handflächenabdrücke bezeichnet und zu Testzwecken aus hochauflösenden Live-Scan-Handflächenabdrücken durch Zuschneiden in verschiedene Regionen/Segmente erzeugt. Letztere werden auch als pseudolatente Teilhandflächenabdrücke oder synthetische latente Teilhandflächenabdrücke bezeichnet, je nachdem, ob Rauschen bzw. Degradierungen hinzugefügt werden oder nicht.
Autorenporträt
Dr. G. Karthick promovierte 2017 in I&C Engineering an der Anna University Chennai. Er erwarb seinen PG-Abschluss in Angewandter Elektronik am Department of ECE, Bannari Amman Institute of Technology Sathyamangalam. Derzeit arbeitet er als Associate Professor ECE Abteilung in Jyothismathi Institute of Technology & Science, Karimnagar.