Effetto delle microonde sui semiconduttori a nitruro ad alta temperatura
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Il progetto di questo lavoro è di studiare l'effetto delle microonde sulla ceramica di nitruro ad alta temperatura. Tre campioni di nitruri sono usati per questo studio. Nitruro di alluminio, AlN, nitruro di silicio, SiN, e nitruro di boro, BN. Per misurare le proprietà dielettriche a microonde dei tre campioni viene utilizzata una tecnica di perturbazione della cavità completamente computerizzata che lavora nelle gamme di frequenza 615 MHz, 1412 MHz, 2214 MHz, 3018 MHz e 3820 MHz a una temperatura che va da 25 a 2000 °C. L'effetto delle microonde su questi campioni può essere determinato...
Il progetto di questo lavoro è di studiare l'effetto delle microonde sulla ceramica di nitruro ad alta temperatura. Tre campioni di nitruri sono usati per questo studio. Nitruro di alluminio, AlN, nitruro di silicio, SiN, e nitruro di boro, BN. Per misurare le proprietà dielettriche a microonde dei tre campioni viene utilizzata una tecnica di perturbazione della cavità completamente computerizzata che lavora nelle gamme di frequenza 615 MHz, 1412 MHz, 2214 MHz, 3018 MHz e 3820 MHz a una temperatura che va da 25 a 2000 °C. L'effetto delle microonde su questi campioni può essere determinato notando la variazione delle misure delle parti reali e immaginarie, ¿' e ¿'', delle proprietà dielettriche nella gamma di frequenza delle microonde ad alta temperatura. Ulteriori chiarimenti saranno ottenuti calcolando la conduttività elettrica dipendente dalla temperatura e dalla frequenza, ¿, l'esponente di frequenza n, e l'energia di attivazione, EA, nella stessa frequenza di microonde e negli stessi intervalli di temperatura.
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