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Le développement rapide des dispositifs électroniques de puissance à haute fréquence de commutation a été significatif au cours de la dernière décennie, ce qui a conduit à une application plus large des onduleurs à source de tension (VSI) dans la production d'énergie en courant alternatif. L'utilisation des VSI implique des techniques de modulation qui contrôlent les commutateurs des VSI, telles que la modulation de largeur d'impulsion sinusoïdale (SPWM), la PWM sinusoïdale harmonique sélective et la modulation par vecteur spatial (SVM). Il existe une tendance croissante à utiliser la…mehr

Produktbeschreibung
Le développement rapide des dispositifs électroniques de puissance à haute fréquence de commutation a été significatif au cours de la dernière décennie, ce qui a conduit à une application plus large des onduleurs à source de tension (VSI) dans la production d'énergie en courant alternatif. L'utilisation des VSI implique des techniques de modulation qui contrôlent les commutateurs des VSI, telles que la modulation de largeur d'impulsion sinusoïdale (SPWM), la PWM sinusoïdale harmonique sélective et la modulation par vecteur spatial (SVM). Il existe une tendance croissante à utiliser la modulation de largeur d'impulsion à vecteur spatial (SVPWM) en raison de leur réalisation numérique plus facile et d'une meilleure utilisation du bus CC. Un onduleur à deux niveaux utilisant la stratégie de modulation par vecteur spatial a été modélisé et simulé avec une charge RL variable en utilisant le logiciel MATLAB/SIMULINK. Un microcontrôleur est utilisé pour générer le signal SVPWM nécessaire pour déclencher les portes du pont MOSFET de l'onduleur. Les résultats expérimentaux sont obtenus en faisant varier la charge RL et sont comparés aux résultats de la simulation.
Autorenporträt
Narendrasinh C. Rana - Diplôme de maîtrise en génie électrique (électronique de puissance et entraînements électriques). Atmiya Institute of Technology & Science, Yogidham Gurukul, Kalawad Road, Rajkot.