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Die anhaltende Nachfrage der Industrie nach kleiner und stromsparender Unterhaltungselektronik motiviert uns, nach neuen Wegen für Designverbesserungen zu suchen. Angesichts der zahlreichen Technologien, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen zur Verfügung stehen und demnächst zur Verfügung stehen werden, müssen bei der Auswahl der Technologie, die als die Zukunft der Industrie bezeichnet werden kann, verschiedene Anforderungen, Einschränkungen und Parameter berücksichtigt werden. Es werden einige neue stromsparende Hochgeschwindigkeits-Volladdierer-Schaltungen mit…mehr

Produktbeschreibung
Die anhaltende Nachfrage der Industrie nach kleiner und stromsparender Unterhaltungselektronik motiviert uns, nach neuen Wegen für Designverbesserungen zu suchen. Angesichts der zahlreichen Technologien, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen zur Verfügung stehen und demnächst zur Verfügung stehen werden, müssen bei der Auswahl der Technologie, die als die Zukunft der Industrie bezeichnet werden kann, verschiedene Anforderungen, Einschränkungen und Parameter berücksichtigt werden. Es werden einige neue stromsparende Hochgeschwindigkeits-Volladdierer-Schaltungen mit Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistoren für Echtzeit-, fehlertolerante und missionskritische Anwendungen vorgestellt.
Autorenporträt
Il dottor Jitendra Kumar Saini è nato a Jaipur, Rajasthan, India. Ha ricevuto il suo B.E., M.Tech. e Ph.D. in ECE dal Birla Institute of Technology Mesra; Malviya National Institute of Technology Jaipur & Manipal University Jaipur. Attualmente è professore associato nel dipartimento ECE presso il Vignans Lara Institute of Technology & Science.