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Diese Arbeit beschreibt den neuartigen Einsatz von breitbandigen kontinuierlichen Frequenzweichen für die Parallelisierung von Millimeterwellen-On-Wafer-Messtechnik durch die Integration in On-Wafer-Messspitzen. Eine modellbasierte Methode für den effizienten Entwurf von Frequenzweichen mit einer Vielzahl einstellbarer Parameter ermöglicht die erstmalige Realisierung einer DC - 110 GHz - 170 GHz Frequenzweiche. This work describes the novel use of broadband continuous diplexers that could be integrated into on-wafer probes to parallize millimeter wave on-wafer measurement equipment. A…mehr

Produktbeschreibung
Diese Arbeit beschreibt den neuartigen Einsatz von breitbandigen kontinuierlichen Frequenzweichen für die Parallelisierung von Millimeterwellen-On-Wafer-Messtechnik durch die Integration in On-Wafer-Messspitzen. Eine modellbasierte Methode für den effizienten Entwurf von Frequenzweichen mit einer Vielzahl einstellbarer Parameter ermöglicht die erstmalige Realisierung einer DC - 110 GHz - 170 GHz Frequenzweiche. This work describes the novel use of broadband continuous diplexers that could be integrated into on-wafer probes to parallize millimeter wave on-wafer measurement equipment. A model-based method for the efficient design of diplexers with a large number of adjustable parameters allows the realization of a DC - 110 GHz - 170 GHz diplexer for the first time.