Análisis del rendimiento de diferentes estructuras de celdas DRAM basadas en CMOS
Estructura de la célula DRAM
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Las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) se utilizan ampliamente en todo tipo dedispositivos electrónicos debido a su bajo coste y rápida velocidad de funcionamiento. Además de sus extensas aplicaciones,la producción en masa de DRAMsuele marcar la madurez de latecnologíade semiconductores correspondiente, que se ve continuamente impulsada hacia dimensiones más pequeñas y un alto rendimiento por las exigencias del mercadoy la competencia. En general, la producción en masa de una nueva generación deDRAMsuele considerarse el hito de una nueva era de la tecnología de semiconduc...
Las memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) se utilizan ampliamente en todo tipo dedispositivos electrónicos debido a su bajo coste y rápida velocidad de funcionamiento. Además de sus extensas aplicaciones,la producción en masa de DRAMsuele marcar la madurez de latecnologíade semiconductores correspondiente, que se ve continuamente impulsada hacia dimensiones más pequeñas y un alto rendimiento por las exigencias del mercadoy la competencia. En general, la producción en masa de una nueva generación deDRAMsuele considerarse el hito de una nueva era de la tecnología de semiconductores.Como indicael término "DRAM", se trata de un tipo de memoria volátil, es decir, los datos almacenados tienen que refrescarse "dinámicamente"para garantizar el correcto funcionamiento de la memoria; se puede acceder a cada bit de la DRAM"aleatoriamente" en comparación con una grabadora convencional.
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