Análise termodinâmica dos processos de crescimento da camada epitaxial
ligação de semicondutores Ga2Se3 pelo método de tubo aberto no sistema de transporte de gás Ga-Se-Cl-H
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O presente trabalho é dedicado à análise termodinâmica dos processos físico-químicos de crescimento das camadas epitaxiais do composto semicondutor Ga2Se3 a partir da fase gasosa no sistema de fluxo Ga - Se - Cl - H e modelação de processos tecnológicos para previsão de possíveis variantes tecnológicas e determinação de condições óptimas para a síntese deste composto. São apresentados os resultados das pesquisas de definição e cálculo dos parâmetros termodinâmicos de substâncias individuais do sistema Ga - Se - Cl - H, para a sua utilização na modelação termodinâm...
O presente trabalho é dedicado à análise termodinâmica dos processos físico-químicos de crescimento das camadas epitaxiais do composto semicondutor Ga2Se3 a partir da fase gasosa no sistema de fluxo Ga - Se - Cl - H e modelação de processos tecnológicos para previsão de possíveis variantes tecnológicas e determinação de condições óptimas para a síntese deste composto. São apresentados os resultados das pesquisas de definição e cálculo dos parâmetros termodinâmicos de substâncias individuais do sistema Ga - Se - Cl - H, para a sua utilização na modelação termodinâmica dos processos de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 a partir de uma fase gasosa. É investigada a ligação entre variáveis termodinâmicas e parâmetros tecnológicos do processo de síntese Ga2Se3 em reactor de tipo aberto com fontes separadas de gálio e selénio. O esquema de cálculo dos parâmetros tecnológicos do processo de crescimento das camadas epitaxiais de Ga2Se3 no sistema de transporte de gás de fluxo com fontes separadas de gálio e selénio é ilustrado.
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