Principios y usos de la nanofotónica QWs, QWWs y QDs de materiales nanoestructurados optoelectrónicos no lineales y su consecuencia fotoeléctrica exterior
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60,90 €
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
20.01.2026
Verlag
Ediciones Nuestro ConocimientoSeitenzahl
96
Maße (L/B/H)
22/15/0,6 cm
Gewicht
161 g
Sprache
Spanisch
ISBN
978-620-9-47020-2
Principios y usos de la nanofotónica : QWs, QWWs y QDs de materiales nanoestructurados optoelectrónicos no lineales y su consecuencia fotoeléctrica exterior: Utilizando una ley de dispersión de electrones desarrollada recientemente que tiene en cuenta las anisotropías de las constantes de órbita de espín, los electrones de masa efectiva y el control de la división del campo cristalino en el marco del formalismo k.p, el efecto fotoeléctrico externo de los pozos cuánticos, los alambres de pozos cuánticos y los puntos cuánticos de materiales nanoestructurados ópticos y optoelectrónicos no lineales. Además, se ha calculado el efecto fotoeléctrico externo para materiales II-VI y optoelectrónicos confinados cuánticamente estresados (como QWs, QWWs y QWs).Por medio de la red confinada cuánticamente Hg1-xCdxTe, CdGaAs2 e In1-xGaxAsyP1-y emparejada con CdS, InP, e InSb estresado como ejemplos, se ha descubierto que el efecto fotoeléctrico externo muestra mesetas en función de la energía del fotón incidente, lo cual es crucial desde una perspectiva experimental. Nuestro enfoque generalizado está especializado en los hallazgos numéricos de los semiconductores degenerados III-V optoelectrónicos restringidos cuánticamente.
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