Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS Papel do recozimento na engenharia de interfaces
-
- Portugiesisch ausgewählt
31,99 €
UVP
35,90 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
08.09.2023
Verlag
Edições Nosso ConhecimentoSeitenzahl
68
Maße (L/B/H)
22/15/0,5 cm
Gewicht
119 g
Sprache
Portugiesisch
ISBN
978-620-6-43382-8
Os dieléctricos de elevada permissividade e os substratos adequados estão a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utilização na conceção de VLSI. No entanto, o óxido de háfnio (HfO2) é um candidato promissor para a próxima geração de dieléctricos de porta, devido à sua constante dieléctrica relativamente elevada 25 , ao seu grande intervalo de banda, à sua boa estabilidade térmica e à sua energia livre de reação relativamente elevada com o material do substrato. Recentemente, os dispositivos electrónicos baseados em Ge voltaram a receber uma atenção considerável e o Ge pode fornecer soluções para os principais problemas que a tecnologia Si enfrenta nos dispositivos CMOS avançados; isto deve-se principalmente à maior mobilidade dos buracos e dos electrões no substrato Ge. Assim, este livro é útil para os leitores conhecerem algumas questões importantes sobre a tecnologia Ge para dispositivos de alta frequência.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice