Estudio del potencial de superficie subumbral de los MOSFET
-
- Spanisch ausgewählt
37,99 €
UVP
43,90 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
18.08.2023
Verlag
Ediciones Nuestro ConocimientoSeitenzahl
68
Maße (L/B/H)
22/15/0,5 cm
Gewicht
119 g
Sprache
Spanisch
ISBN
978-620-6-35315-7
En este libro se ha prestado especial atención al modelado y la influencia de las capas de agotamiento alrededor de las regiones de fuente y drenaje en las características subumbrales de un transistor MOS de canal corto con canal uniformemente dopado. Se ha desarrollado un modelo analítico para el potencial superficial subumbral en un transistor MOS de canal corto resolviendo la ecuación de Poisson pseduo-2D, formulada aplicando la ley de Gauss a una caja rectangular en el canal que cubre toda la profundidad de la capa de agotamiento. El modelo ha sido capaz de predecir un aumento de la influencia de las regiones de agotamiento de la unión para longitudes de canal más pequeñas y/o tensiones de polarización drenador/fuente más altas debido al aumento de la carga compartida. El mismo modelo se aplica para determinar el potencial de superficie subumbral de los MOSFET de doble halo. La reducción de las dimensiones del dispositivo conlleva una reducción del grosor del óxido de puerta. Como resultado de ello, aumenta el indeseable efecto de electrones calientes y la corriente túnel de puerta. Para superar este inconveniente se utiliza material de alta k en lugar de dióxido de silicio como material aislante debajo de la puerta. Estos modelos resultarán beneficiosos y ayudarán en futuros trabajos de investigación.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice