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High-k Materials in Multi-Gate FET Devices

119,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

25.09.2023

Abbildungen

schwarz-weiss Illustrationen, Raster, schwarz-weiss, Zeichnungen, schwarz-weiss, Tabellen, schwarz-weiss

Herausgeber

Shubham Tayal + weitere

Verlag

Taylor & Francis

Seitenzahl

164

Maße (L/B/H)

23,4/15,6/1 cm

Gewicht

453 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-367-63969-3

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

25.09.2023

Abbildungen

schwarz-weiss Illustrationen, Raster, schwarz-weiss, Zeichnungen, schwarz-weiss, Tabellen, schwarz-weiss

Herausgeber

Verlag

Taylor & Francis

Seitenzahl

164

Maße (L/B/H)

23,4/15,6/1 cm

Gewicht

453 g

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Englisch

ISBN

978-0-367-63969-3

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  • Chapter 1 Introduction to Multi-Gate FET Devices

    Chapter 2 High-k Gate Dielectrics and Metal Gate Stack Technology for

    Advance Semiconductor Devices: An Overview

    Chapter 3 Influence of High-k Material in Gate Engineering and in

    Multi-Gate Field Effect Transistor Devices

    Chapter 4 Trap Charges in High-k and Stacked Dielectric

    Chapter 5 Impact of High-k Dielectric on the Gate-Induced Drain

    Leakage of Multi-Gate FETs

    Chapter 6 Advanced FET Design Using High-k Gate Dielectric and

    Characterization for Low-Power VLSI

    Chapter 7 Simulation and Analysis of Gate Stack DG MOSFET with

    Application of High-k Dielectric Using Visual TCAD

    Chapter 8 Novel Architecture in Gate All-Around (GAA) MOSFET

    with High-k Dielectric for Biomolecule Detection

    Chapter 9 Asymmetric Junctionless Transistor: A SRAM

    Performance Study

    Chapter 10 Performability Analysis of High-k Dielectric-Based

    Advanced MOSFET in Lower Technology Nodes

    Index