Defect-Induced Magnetism in Oxide Semiconductors
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Sprache:Englisch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
24.05.2023
Abbildungen
750 illustrations (90 in full color)
Herausgeber
Parmod Kumar + weitereVerlag
Elsevier Science & TechnologySeitenzahl
736
Maße (L/B/H)
22,9/15/3,8 cm
Gewicht
1139 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-0-323-90907-5
Defect-Induced Magnetism in Oxide Semiconductors provides an overview of the latest advances in defect engineering to create new magnetic materials and enable new technological applications. First, the book introduces the mechanisms, behavior, and theory of magnetism in oxide semiconductors and reviews the methods of inducing magnetism in these materials. Then, strategies such as pulsed laser deposition and RF sputtering to grow oxide nanostructured materials with induced magnetism are discussed. This is followed by a review of the most relevant postdeposition methods to induce magnetism in oxide semiconductors including annealing, ion irradiation, and ion implantation. Examples of defect-induced magnetism in oxide semiconductors are provided along with selected applications.
This book is a suitable reference for academic researchers and practitioners and for people engaged in research and development in the disciplines of materials science and engineering.
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