Field Effect Transistor Double Gate Tunnel Field Effect Transistor
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inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
23.10.2019
Verlag
BoD - Books on DemandSeitenzahl
92
Maße (L/B/H)
22/15/0,6 cm
Gewicht
155 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Englisch
ISBN
978-620-0-45504-8
There are many devices like FinFET, Tunnel Field Effect Transistor (TFET) or Impact Ionization Metal Oxide Semiconductor (IMOS) are proposed for future technology. Among them Tunnel field effect transistors are considered as a promising candidate to replace the conversional MOSFETs. TFET shows low sub threshold swing and high ION ¿ IOFF current ratio, which is basic requirement for low power and high speed device application. Transportation mechanism of carriers of this device is Band To Band Tunneling (BTBT) and due to that this device is free from different kind of Short channel effects like Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and VT roll-Off. There are different kind of tunnel field effect transistor structures are proposed like vertical TFET, lateral TFET and heterojunction TFET etc. Throughout of this work, Double-gate tunnel field effect transistor (DGTFET) is considered for study.
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