Long-Term Reliability of Nanometer VLSI Systems Modeling, Analysis and Optimization
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Sprache:Englisch
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inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
25.09.2019
Abbildungen
XLI, 460 p. 211 illus., 195 illus. in color.
Verlag
SpringerSeitenzahl
460
Maße (L/B/H)
24,1/16/3,3 cm
Gewicht
916 g
Auflage
1st edition 2019
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-030-26171-9
- Reviews classic Electromigration (EM) models, as well as existing EM failure models and discusses the limitations of those models;
- Introduces a dynamic EM model to address transient stress evolution, in which wires are stressed under time-varying current flows, and the EM recovery effects. Also includes new, parameterized equivalent DC current based EM models to address the recovery and transient effects;
- Presents a cross-layer approach to transistor aging modeling, analysis and mitigation, spanning multiple abstraction levels;
- Equips readers for EM-induced dynamic reliability management and energy or lifetime optimization techniques, for many-core dark silicon microprocessors, embedded systems, lower power many-core processors and datacenters.
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