Si Detectors and Characterization for HEP and Photon Science Experiment How to Design Detectors by TCAD Simulation
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Sprache:Englisch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsdatum
25.09.2019
Abbildungen
XVII, 106 illus., 77 illus. in color., farbige Illustrationen, schwarz-weiss Illustrationen
Verlag
SpringerSeitenzahl
183
Maße (L/B/H)
24,1/16/1,7 cm
Gewicht
477 g
Auflage
1st ed. 2019
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-030-19530-4
This book reviews the HL-LHC experiments and the fourth-generation photon science experiments, discussing the latest radiation hardening techniques, optimization of device & process parameters using TCAD simulation tools, and the experimental characterization required to develop rad-hard Si detectors for x-ray induced surface damage and bulk damage by hadronic irradiation.
Consisting of eleven chapters, it introduces various types of strip and pixel detector designs for the current upgrade, radiation, and dynamic range requirement of the experiments, and presents an overview of radiation detectors, especially Si detectors. It also describes the design of pixel detectors, experiments and characterization of Si detectors.
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