Controlled aggregation of Fe into GaN Towards a room-temperature magnetic semiconductor
-
- Englisch ausgewählt
35,99 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
06.06.2017
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
92
Maße (L/B/H)
22/15/0,7 cm
Gewicht
155 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-330-32745-0
The epitaxial growth of hybrid structures containing magnetic impurities such as transition metal or rare earth ions, and based on wide band gap semiconductors and oxides, can lead to the self-organized aggregation of magnetic nanocrystals embedded in the host matrix. This opens new perspectives for multifunctional nanosystems in spintronics, nanoelectronics and photonics. In this view, it is necessary to achieve full control on the incorporation and aggregation of the magnetic impurities inside the semiconductor matrix to elucidate the origin of their magnetic signatures and hereby achieve a reliable functionality of these systems. In this work, we report on the growth by metalorganic vapor phase epitaxy of (Ga,Fe)N with special focus on the incorporation of Fe ions as a function of the growth parameters. We show that it is possible to äect the aggregation of Fe ions in GaN by growth rate and growth temperature, by ¿-doping, and by co-doping with acceptors and donors. Our results contribute to the understanding of longstanding unexplained issues in the field of magnetic semiconductors.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice