Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
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Sprache:Englisch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
23.08.2016
Abbildungen
XIV, 201 p. 121 illus., 102 illus. in color.
Verlag
Springer UsSeitenzahl
201
Maße (L/B/H)
23,5/15,5/1,2 cm
Gewicht
335 g
Auflage
Softcover reprint of the original 1st ed. 2013
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-4939-4482-8
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-κ technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.
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