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Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

92,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Abbildungen

XIV, 201 p. 121 illus., 102 illus. in color.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

201

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,2 cm

Gewicht

335 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2013

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4939-4482-8

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Abbildungen

XIV, 201 p. 121 illus., 102 illus. in color.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

201

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/1,2 cm

Gewicht

335 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 2013

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4939-4482-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Scaling of a MOS Transistor.- Nanoscale Effects- Gate Oxide Leakage Currents.- Nanoscale Effects- Inversion Layer Quantization.- Dielectrics for Nanoelectronics.- Germanium Technology.- Biaxial s-Si Technology.- Uniaxial s-Si Technology.- Alternate MOS Structures.- Graphene Technology.