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Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI Materials to VLSI

146,99 €

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

03.10.2012

Abbildungen

XIII, 366 p.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

366

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,1 cm

Gewicht

581 g

Auflage

Third Edition 2004

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4613-4795-8

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

03.10.2012

Abbildungen

XIII, 366 p.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

366

Maße (L/B/H)

23,5/15,5/2,1 cm

Gewicht

581 g

Auflage

Third Edition 2004

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4613-4795-8

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

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  • 1 Introduction.- 2 SOI Materials.- 2.1 Introduction.- 2.2 Heteroepitaxial techniques.- 2.3 Dielectric Isolation (DI).- 2.4 Polysilicon melting and recrystallization.- 2.5 Homoepitaxial techniques.- 2.6 FIPOS.- 2.7 Ion beam synthesis of a buried insulator.- 2.8 Wafer Bonding and Etch Back (BESOI).- 2.9 Layer transfer techniques.- 2.10 Strained silicon on insulator (SSOI).- 2.11 Silicon on diamond.- 2.12 Silicon-on-nothing (SON).- 3 SOI Materials Characterization.- 3.1 Introduction.- 3.2 Film thickness measurement.- 3.3 Crystal quality.- 3.4 Carrier lifetime.- 3.5 Silicon/Insulator interfaces.- 4 SOI CMOS Technology.- 4.1 SOI CMOS processing.- 4.2 Field isolation.- 4.3 Channel doping profile.- 4.4 Source and drain engineering.- 4.5 Gate stack.- 4.6 SOI MOSFET layout.- 4.7 SOI-bulk CMOS design comparison.- 4.8 ESD protection.- 5 The SOI MOSFET.- 5.1 Capacitances.- 5.2 Fully and partially depleted devices.- 5.3 Threshold voltage.- 5.4 Current-voltage characteristics.- 5.5 Transconductance.- 5.6 Basic parameter extraction.- 5.7 Subthreshold slope.- 5.8 Ultra-thin SOI MOSFETs.- 5.9 Impact ionization and high-field effects.- 5.10 Floating-body and parasitic BJT effects.- 5.11 Self heating.- 5.12 Accumulation-mode MOSFET.- 5.13 Unified body-effect representation.- 5.14 RF MOSFETs.- 5.15 CAD models for SOI MOSFETs.- 6 Other SOI Devices.- 6.1 Multiple-gate SOI MOSFETs.- 6.2 MTCMOS/DTMOS.- 6.3 High-voltage devices.- 6.4 Junction Field-Effect Transistor.- 6.5 Lubistor.- 6.6 Bipolar junction transistors.- 6.7 Photodiodes.- 6.8 G4 FET.- 6.9 Quantum-effect devices.- 7 The SOI MOSFET in a Harsh Environment.- 7.1 Ionizing radiations.- 7.2 High-temperature operation.- 8 SOI Circuits.- 8.1 Introduction.- 8.2 Mainstream CMOS applications.- 8.3 Niche applications.- 8.4 Three-dimensional integration.