The gm/ID Methodology, a sizing tool for low-voltage analog CMOS Circuits The semi-empirical and compact model approaches
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- Hardcover
- Taschenbuch ausgewählt
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Sprache:Englisch
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inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
03.05.2012
Abbildungen
XVI, 171 p.
Verlag
Springer UsSeitenzahl
171
Maße (L/B/H)
23,5/15,5/1,1 cm
Gewicht
295 g
Auflage
2010
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-4614-2505-2
In "The g m /I D Methodology, a Sizing Tool for Low-Voltage Analog CMOS Circuits", we compare the semi-empirical to the compact model approach. Small numbers of parameters make the compact model attractive for the model paves the way towards analytic expressions unaffordable otherwise. The E.K.V model is a good candidate, but when it comes to short channel devices, compact models are either inaccurate or loose straightforwardness. Because sizing requires basically a reliable large signal representation of MOS transistors, we investigate the potential of the E.K.V model when its parameters are supposed to be bias dependent. The model-driven and semi-empirical methods are compared considering the Intrinsic Gain Stage and a few more complex circuits.
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