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Emerging Memory Technologies Design, Architecture, and Applications

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

22.10.2013

Abbildungen

VI, 219 illus., 137 illus. in color., farbige Illustrationen, schwarz-weiss Illustrationen

Herausgeber

Yuan Xie

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

322

Maße (L/B/H)

24,1/16/2,2 cm

Gewicht

658 g

Auflage

2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4419-9550-6

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Erscheinungsdatum

22.10.2013

Abbildungen

VI, 219 illus., 137 illus. in color., farbige Illustrationen, schwarz-weiss Illustrationen

Herausgeber

Yuan Xie

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

322

Maße (L/B/H)

24,1/16/2,2 cm

Gewicht

658 g

Auflage

2014

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4419-9550-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • NVSim: A Circuit-Level Performance, Energy, and Area Model for Emerging Non-Volatile Memory.- A Hybrid Solid-State Storage Architecture for the Performance, Energy Consumption, and Lifetime Improvement.- Energy-Efficient Systems Using Resistive Memory Devices.- Asymmetric in STT-RAM Cell Operations.- An Energy-efficient 3D Stacked STTRAM Cache Architecture for CMPs.- STT-RAM Cache Hierarchy Design and Exploration with Emerging Magnetic Devices.- Resistive Memories in Associative Computing.- Weal Leveling Techniques for Non-Volatile Memories.- A Circuit-Architecture Co-optimization Framework for Exploring Non-volatile Memory Hierarchies.- Ferroelectric Nonvolatile Processor Design, Optimization and Application.