Investigation on Schottky-Barrier MOSFETs for Memory Application Schottky-Barrier Flash Memory
-
- Englisch ausgewählt
43,99 €
UVP
49,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Lieferung nach Hause
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
06.12.2010
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
100
Maße (L/B/H)
22/15/0,7 cm
Gewicht
167 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-8433-7747-8
The structure of Schottky-barrier (SB) MOSFETs was investigated for both the perspective of practical applications and interest in novel Flash memory. We demonstrated how the source-side injection of hot electrons in the dopant-segregated SB (DSSB) Flash memory cell achieves high-speed, low-voltage programming with excellent injection efficiency, and no constraints on the optimization of gate and drain voltages. Moreover, the drain disturbance-free phenomenon in NOR Flash architecture was achieved. Excellent programming efficiency, especially, was achieved in a DSSB Flash device with a narrow fin width due to an enhanced lateral electric field without any sacrifice of parasitic resistance. Thus, the DSSB device can be a promising candidate in NOR Flash memory for attaining a lower programming voltage and power consumption.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice